Toshiba Electronics Europe
AEC-Q101-konforme 40-V-N-Kanal-MOSFETs im S-TOGL-Gehäuse
Für effizientere 12-V-Bordsysteme bringt Toshiba den Leistungs-MOSFET XPJ1R504PB auf den Markt. Das Bauteil im S-TOGL-Gehäuse ist für hohe Ströme ausgelegt und richtet sich an Anwendungen wie Wechselrichter, Halbleiterrelais und Motorantriebe.
Toshiba Electronics Europe hat den XPJ1R504PB vorgestellt, einen Automotive-konformen 40 V-/120 A-N Kanal-Leistungs-MOSFET im S TOGL-Gehäuse, und erweitert damit sein Angebot für 12-V-Bordsysteme. Zu den Zielanwendungen zählen unter anderem Wechselrichter, Halbleiterrelais, Lastschalter und Motorantriebe. Mit Aufnahme des 40-V-MOSFET in das bestehende S TOGL-Sortiment – zu dem bereits die Modelle XPJR6604PB und XPJ1R004PB gehören – baut Toshiba sein Portfolio für unterschiedliche Applikations- und Leistungsanforderungen weiter aus.
In den letzten Jahren hat die fortschreitende Elektrifizierung der Automobiltechnik den Einsatz von Wechselrichtern und Motorantrieben vorangetrieben. Dieser Einsatz erfordert höhere Leistungen und bessere Wirkungsgrade. Um diesen Trends gerecht zu werden, müssen MOSFETs sowohl eine geringe Verlustleistung als auch eine hohe Wärmeableitung bieten. Der XPJ1R504PB im S-TOGL-Gehäuse ermöglicht eine kompakte, hochdichte Montage bei hervorragender thermischer Leistung. Dadurch wird die Baugröße von Automotive-Komponenten reduziert und deren Effizienz verbessert.
Da solche Automobilkomponenten in einem breiten Temperaturbereich betrieben werden, spielt die Zuverlässigkeit der Lötstellen eine entscheidende Rolle. Das S-TOGL-Gehäuse zeichnet sich durch Gull-Wing-Anschlüsse aus, die die mechanischen Spannungen während der Montage verringern und so die Zuverlässigkeit der Lötstellen verbessern. Darüber hinaus verfügt das Gehäuse über eine Kupferclip-Struktur, die die Source-Elektrodenverbindung des Chips und die äußeren Anschlüsse integriert. Dadurch wird der parasitäre Widerstand reduziert und ein Einschaltwiderstand (RDS(ON)) von maximal 1,54 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung (VGS) von 10 V erreicht.
Die Verwendung eines dicken Kupferrahmens im S-TOGL-Gehäuse verringert die transiente thermische Impedanz zwischen Kanal und Gehäuse (Zth(ch-c)) auf 0,76 °C/W. Das reduziert Leitungsverluste und unterdrückt die Wärmeentwicklung, wodurch die Gesamteffizienz des Systems verbessert wird. Eine Mehrpolstruktur der Source-Anschlüsse optimiert außerdem die Stromverteilung und ermöglicht so eine hohe Strombelastbarkeit.