Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

SiC power electronics packages

Infineon and Rohm collaborate

Infineon and Rohm have signed a Memorandum of Understanding to collaborate on packages for silicon carbide (SiC) power semiconductors to enable each other as second sources of selected packages for SiC power devices, a move which will increase design…

Gehäuse für SiC-Leistungshalbleiter

Infineon kooperiert mit Rohm

Infineon und Rohm haben eine Absichtserklärung (MoU) unterzeichnet, um wechselseitig als…

Call for Papers

Battery&Power World 2026

Am Donnerstag, dem 12. Februar 2026, veranstaltet Componeers im »Science Congress Center…

Infineon/Goldwind

Energieeffizienz in netzbildenden Windturbinen steigern

Infineon Technologies und Goldwind Science & Technology erweitern ihre Zusammenarbeit und…

Leistungshalbleitermarkt

2027 könnten Hybrid- und E-Autos Neuzulassungen dominieren

Langsam scheint sich der weltweite Leistungshalbleitermarkt vom Nachfragetief zu erholen.…

Nexperia: 100-V-MOSFETs für Automotive

CCPAK1212-Gehäuse erhöhen Leistungsdichte in 48-V-Designs

Nexperia stellt seine neuen AEC-Q101-qualifizierten 100-V-MOSFETs in kompakten, 12 x 12 mm…

Fertigungspartner gefunden

iDEAL Semiconductor arbeitet mit Polar Semiconductor zusammen

Es ist soweit: Die hocheffizienten SuperQ-Silizium-Leistungshalbleiter von iDEAL…

Video: Power Talk Leistungshalbleiter 3

800-V und SiC, bidirektionales 650-V-GaN und SuperQ-Technologie?

Markt&Technik-Chefreporter Engelbert Hopf sprach Anfang September 2025 mit Ole…

StarPower

Vom Assembly-Unternehmen zu einem führenden Modul-Anbieter

StarPower hat 2005 als Assembly-Unternehmen für Leistungsmodule angefangen, die…

Hohe Flexibilität und Leistungsdichte

2-in-1-SiC-Modul im DOT-247-Gehäuse

Rohm bietet mit dem »DOT-247« ein 2-in-1-SiC-Modul für industrielle Anwendungen wie…