Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

GaN in Motorsteuerungs-Anwendungen

Hervorragende Alternative zu MOSFETs und IGBTs

Im Vergleich zu klassischen Silizium-Lösungen bestechen GaN-Bauteile außer mit niedrigeren RDS(on)-Werten und einer geringeren Gesamt-Gateladung vor allem durch hohe Drain-Source-Spannung, dem Wegfall der Sperrverzögerungsladung und sehr geringen intrinsischen Kapazitäten.

Imec

Neues 300-mm-GaN-Programm für Low- und High-Voltage-Anwendungen

Das imec hat ein neues 300-mm-GaN-Programm gestartet, um fortschrittliche...

Bosch forscht an Vertical GaN

»Aktuell liegt unser Fokus ganz klar auf SiC«

Vom reinen Fertiger für den Inhouse-Bedarf hat sich Bosch im...

Kompakte, leistungsstarke Stromwandlung

Floating-Ground-nicht-isolierte Halbbrücken-Gate-Treiber

Floating-Ground-nicht-isolierte Halbbrücken-Gate-Treiber steuern High- und...

SiC power electronics packages

Infineon and Rohm collaborate

Infineon and Rohm have signed a Memorandum of Understanding to collaborate on packages...

Gehäuse für SiC-Leistungshalbleiter

Infineon kooperiert mit Rohm

Infineon und Rohm haben eine Absichtserklärung (MoU) unterzeichnet, um wechselseitig...

Call for Papers

Battery&Power World 2026

Am Donnerstag, dem 12. Februar 2026, veranstaltet Componeers im »Science Congress...

Infineon/Goldwind

Energieeffizienz in netzbildenden Windturbinen steigern

Infineon Technologies und Goldwind Science & Technology erweitern ihre Zusammenarbeit...

Leistungshalbleitermarkt

2027 könnten Hybrid- und E-Autos Neuzulassungen dominieren

Langsam scheint sich der weltweite Leistungshalbleitermarkt vom Nachfragetief zu...

Nexperia: 100-V-MOSFETs für Automotive

CCPAK1212-Gehäuse erhöhen Leistungsdichte in 48-V-Designs

Nexperia stellt seine neuen AEC-Q101-qualifizierten 100-V-MOSFETs in kompakten, 12 x 12...