Markt & Technik

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 3: Kommt der SiC-IGBT?

Aktuell deutet nichts darauf hin, dass es bei SiC-MOSFETs in Zukunft nur noch Planar oder Trench beim Zellaufbau geben wird. Auch wenn die jüngsten Planar-Konzepte schon ziemlich viel Trenchartige Strukturen im Zellaufbau aufweisen.

Branchendiskussion: Leistungshalbleiter

Video 2: Wettstreit zwischen SiC und GaN

Alles über 650 V wird auf absehbare Zeit eine SiC-Domäne bleiben, aber bis 650 V…

Nachfolge von Jürgen Lampert

Holger Ruban wird CEO von Bürklin

Die Gesellschaft des Familienunternehmens Bürklin Elektronik hat Holger Ruban mit Wirkung…

Kompatibel dank HDMI und USB-C Anschluss

Gehäuse-Starterkit für Entwickler und Startups

Mit dem BoPad 10.1 HDMI – Starterkit bietet Bopla ein Gehäusesystem, das sich für…

5. Obsolescence Day der COGD

Obsoleszenzen vermeiden – aber wie?

Der Schutz vor Obsoleszenz steht im Zentrum des 5. Obsolescence Day 2024 der COGD auf der…

Kommentar

Von den Vorteilen der DC-Netze schnell profitieren

Heute arbeiten in der industriellen Produktion fast ausschließlich AC-Netze – doch das…

Interview mit Dr. Alex Lidow, EPC

»GaN-Lösungen von 650 V und darüber sind nicht unser Weg«

Konsumelektronik war der Massenmarkt-Einstieg für GaN, doch Dr. Alex Lidow, CEO und…

Verpresste Spulen

Spannungsspezifikation steigert Zuverlässigkeit

Steigende Stromdichten und kurze Schaltzeiten in MOSFETs führen zu höheren Anforderungen…

Online-Themenwoche Leistungselektronik

Eine ungewohnte Erfahrung

In dieser Woche informieren wir Sie vom 16. bis 20. September in unserer…

Schutzschalter für bis zu 480 W

Umfassende Sicherheit

Puls hat mit dem elektronischen Vier-Kanal-Schutzschalter PISA-M ein neues Hilfsmittel für…