Toshiba
Neue 600-V-Planar-MOSFET-Generation
Toshiba führt eine neue Serie von 600-V-Planar-MOSFETs ein. Die Halbleiterbausteine mit der Bezeichnung π-MOS IX sind für kleine und mittlere Schaltnetzteile ausgelegt, wie sie beispielsweise für Notebooks, Wechselstromadapter, Spielekonsolen und Leuchten verwendet werden.
Bei der π-MOS-IX-Serie hat das japanische Unternehmen das Chip-Design so optimiert, dass die elektromagnetische Abstrahlung bis zu 5 dB weniger beträgt als bei der aktuellen Generation der π-MOS-VII-Serie – und das beim selben Wirkungsgrad.
Zu den ersten Bausteinen der neuen Serie zählen die Planar-MOSFETs TK1K9A60F, TK1K2A60F, TK750A60F und TK650A60F mit On-Widerstandswerten zwischen 0,65 Ω und 1,9 Ω. Alle vier MOSFETs weisen dieselben Werte für Avalanche-Strom und Durchlass-Strom auf.
Dadurch ist ein einfacherer Austausch der Halbleiterbausteine möglich.Die π-MOS-IX-MOSFETs sind in einem Standard-TO-220SIS-Gehäuse untergebracht. Zusätzlich zu den jetzt vorgestellten Varianten plant Toshiba eine Erweiterung der Serie um weitere 600-V-MOSFETs sowie um Ausführungen mit 500 V und mit 650 V.
