Infineon Technologies
Integrierter Temperatursensor
Infineon Technologies bringt die neue, mit einem integrierten Temperatursensor ausgestattete CoolMOS S7T-Produktfamilie auf den Markt. Durch die Integration wird die Genauigkeit der Temperaturmessung direkt am Halbleiter verbessert.
Mit der Einführung dieser Produktreihe werden nach Einschätzung von Infineon Technologies positive Effekte in Bezug auf Haltbarkeit, Sicherheit und Effizienz zahlreicher elektronischer Anwendungen verbunden sein. Prädestiniert ist der CoolMOS S7T für Solid-State-Relais, die aufgrund seines sehr guten RDS(on) und des präzisen, eingebetteten Sensors eine höhere Leistung und Zuverlässigkeit in der Applikation bieten.
Da SSRs grundlegende Komponenten in vielen elektronischen Geräten sind, profitieren Anwender auf vielfältige Weise von einem SuperJunction-MOSFET mit integriertem Sensor im gleichen Gehäuse. Infineons neuartiger Ansatz verbessert die Performance des Relais und garantiert einen zuverlässigen Betrieb auch unter Überlastbedingungen. Durch den integrierten Temperatursensor wird eine bis zu 40 Prozent höhere Genauigkeit, und eine zehnmal schnellere Reaktionszeit als durch einen auf dem Board integrierten unabhängigen Standardsensor, der sich am Drain befindet, geboten. Außerdem kann der Überwachungsprozess innerhalb eines Systems mit mehreren Geräten individuell erfolgen, auch das verbessert die Zuverlässigkeit.
Durch den CoolMOS S7T ist eine optimale Ausnutzung des Leistungstransistors möglich, wodurch eine verbesserte Performance und eine präzise Kontrolle über die Endstufe erreicht wird. Im Vergleich zu elektromechanischen lässt sich die Gesamtverlustleistung bis zu zwei Mal verbessern. Gegenüber aktuellen Solid-State-Triak-Lösungen ist er sogar um den Faktor 5 effizienter. Durch den verbesserten Wirkungsgrad, und die Fähigkeit, höhere Lasten zu bewältigen, werden der Stromverbrauch und die Energiekosten gesenkt.
Entwicklungsmuster sowie Startkits werden ab Februar 2024 erhältlich sein. Durch die außergewöhnliche Performance der Ausgangsstufe des CoolMOS S7T, in Verbindung mit einer hohen Überstromschwelle, wird die Zuverlässigkeit des Relais erhöht, und das Risiko von Ausfällen und Ausfallzeiten minimiert. Zudem gewährleistet die robuste Schalterlösung einen sichereren Betrieb. Infolge der erhöhten Robustheit des MOSFETs verbessert sich die Lebensdauer des Relais, sie müssen seltener ersetzt werden, wodurch auch die Wartungskosten der Applikation sinken.