FinFETs kommen
Globalfoundries stellt 14nm-Roadmap vor
Globalfoundries hat jetzt seine 14nm-XM-Technologie vorgestellt, die auf dreidimensionalen FinFETs basiert. Das Unternehmen adressiert mit dieser Prozesstechnik die Hersteller von ICs für mobile Endgeräte.
XM steht für »eXtreme Mobility« und wurde für mobile SoC-Designs optimiert. Laut Unternehmensangabe ermöglicht die Technologie eine um 40 bis 60 Prozent verbesserte Akkulaufzeit im Vergleich zu heutigen zweidimensionalen planaren Transistoren in 20-nm-Technologie.
14nm-XM basiert auf einer modularen Technologiearchitektur, die 14nm-FinFET Strukturen mit Elementen des 20nm LPM Prozesses von Globalfoundries kombiniert. Aufbauend auf der 20nm-LPM Prozesstechnologie ermöglicht 14nm-XM einen problemlosen Übergang für Kunden, die die Vorteile der FinFET SoCs möglichst umgehend nutzen wollen.
Die Technologieentwicklung für diesen Prozess ist weit vorangeschritten, Testwafer durchlaufen derzeit die Fab 8 in Saratoga County, New York. Erste Process Design Kits (PDKs) stehen bereits zur Verfügung, und erste Tape-Outs von Kundenprodukten werden für 2013 erwartet. Wann allerdings die Serienfertigung startet, wird noch nicht verraten.
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