Elpida fertigt erste 64-MBit-Prototypen
Durchbruch bei der Entwicklung von Resistance RAMs
Elpida verkündet deutliche Fortschritte bei der Entwicklung von Resistance RAMs – auch ReRAMs genannt. Diese neue Speichertechnik basiert auf einem Material, das den elektrischen Widerstand wechselt, abhängig von Änderungen in der elektrischen Spannung.
Das Ziel ist es, nichtflüchtige Speicher-Chips zu realisieren, die die Vorteile der DRAM- und der Flash-Technik in einem IC vereinen:
Dass die Speichertechnologie das Potenzial hat, aus dem Forschungs- und Entwicklungsstadium herauszutreten, unterstreicht Elpida mit einem 64-MBit-Prototypen, den das Unternehmen mit Fertigungsstrukturen von 50 nm hergestellt hat. Der Baustein weist eine der größten Speicherkapazitäten auf, die sich heute mit der ReRAM-Technologie realisieren lassen. Doch damit ist das Entwicklungspotenzial längst nicht ausgereizt. So plant Elpida eigenen Angaben zufolge, bereits im nächsten Jahr die Speicherkapazität in den Gigabit-Bereich zu heben – und gleichzeitig die neuen Speicher-ICs mit 30-nm-Fertigungsstrukturen in Volumenstückzahlen zu produzieren!
Die ReRAM-Speichertechnologie ist laut Elpida prädestiniert für den Einsatz in Smartphones, Tablets und Netbooks. Die nichtflüchtigen Speicher erreichen Schreibgeschwindigkeiten von 10 ns, ähnlich wie DRAMs. Gleichzeitig übertreffen sie die heutigen NAND-Flash-Chips hinsichtlich der möglichen Schreibzyklen – und damit der Lebensdauer – um ein Vielfaches.
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