Firma

Toshiba Electronics Europe GmbH

Toshiba / Siliziumkarbid

Zweite SiC-MOSFET-Generation

Als ersten Siliziumkarbid-MOSFET, der auf der im Juli 2020 vorgestellten zweiten Bauteilgeneration basiert, hat Toshiba einen 1200-V-Typ vorgestellt, der im Vergleich zu einem entsprechenden Silizium-IGBT die Ausschaltverluste um etwa 80 Prozent und…

Rohm Semiconductor

Wolfram Harnack zum neuen Europa-Chef berufen

Rohm Semiconductor Europe hat Wolfram Harnack zum Geschäftsführer berufen. Er kehrt damit…

ifo-Prognose zur Elektronikbranche

»Es ist vor allem eine Vertrauenskrise«

Das Geschäftsklima in der Elektronikindustrie hat sich nach Angaben des ZVEI im August im…

Modellbasierte Entwicklung

Gemeinsame Nutzung digitaler Prototypen im Cyberspace

Toshiba Digital Solutions hat eine verteilte Co-Simulationsplattform vorgestellt, mit der…

Toshiba

2-Phasen-Schrittmotortreiber mit Mixed-Decay-Modus

Toshiba bringt mit dem TB9120AFTG einen 2-Phasen-Konstantstrom-Bipolar-Schrittmotortreiber…

Toshiba Solid-State-LiDAR

Kostengünstig, robust, kompakt und leistungsfähiger

Auf dem Weg zum automatisierten Fahren gilt LiDAR vielen Experten als unverzichtbar aber…

Toshiba Electronics Europe

Cortex-M0-, -M3- und M4-Controller

Toshiba Electronics Europe hat sein MCU-Portfolio mit der Serie TXZ+ erweitert. Die Serie…

Hohe Ströme in Fahrzeugen bereitstellen

Motorströme bis 50 Ampere beherrschen

Sämtliche Funktionen zukünftiger Fahrzeuge werden elektrifiziert. Das führt in der Regel…

Toshiba

AEC-Q101-qualifizierter 100-V-n-Kanal-MOSFET

Toshiba bringt einen neuen 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET auf den Markt, der für…

Toshiba Electronics Europe

Neuer HF-SOI-Prozess verbessert HF-Schalter und LNAs

Toshiba Electronics Europe hat mit dem TaRF11 einen neuen HF-SOI-Prozess (Silicon On…