Toshiba
AEC-Q101-qualifizierter 100-V-n-Kanal-MOSFET
Toshiba bringt einen neuen 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET auf den Markt, der für Automotive-Anwendungen wie Lastschalter, Schaltnetzteile und die Ansteuerung von Motoren konzipiert wurde.
Der XK1R9F10QB ist der erste Baustein der neuen U-MOS X-H-Trench-MOSFET-Serie von Toshiba. Er wird im TO-220SM(W)-Gehäuse ausgeliefert, das einen maximalen Durchlasswiderstand von nur 1,92 mΩ bei 10 V Gate-Source-Spannung aufweist. Dies stellt eine Reduzierung des Durchlasswiderstands um etwa 20 % im Vergleich zu bisherigen MOSFETs wie dem TK160F10N1L dar.
Der neue Leistungs-MOSFET ist für einen kontinuierlichen Drain-Strom von 160 A ausgelegt. Im gepulsten Zustand sind 480 A zulässig. Der Baustein kann bei einer Kanaltemperatur von bis zu 175 °C betrieben werden und zeichnet sich durch einen Wärmewiderstand zwischen Kanal zu Gehäuse von weniger als 0,4 °C/W aus.
Der XK1R9F10QB ist nach AEC-Q101 für Automotive-Anwendungen qualifiziert. Ein PSpice-Modell ist frei verfügbar.
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