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SAMSUNG Semiconductor Europe GmbH

Samsung Electronics

Massenproduktion der schnellsten DRAMs gestartet

Auf der HBM2-Schnittstelle basiert Samsungs 4-GByte-HBM2-DRAM, das mit 256 GByte/s die mehr als siebenfache Bandbreite von GDDR5-DRAM-Chips (36 GByte/s) erzielt. Für das bislang schnellste DRAM ist soeben die Massenfertigung angelaufen.

Halbleiter

Der Bio-Prozessor

Während die ausschließliche Überwachung der Herzfrequenz in der Vergangenheit ausreichend…

Automatisiertes Fahren

Samsung als Automobilzulieferer?

Nach Google und Apple wollen auch Samsung und Baidu ins Automotive-Geschäft rund um das…

Samsung Electronics

Erste 128-GByte-DDR4-Module mit TSV-Technologie in Stückzahlen

Enterprise-Server und Rechenzentren adressiert der koreanische Speicherprimus Samsung mit…

Strategische Partnerschaft im Halbleiterbereich

Samsung tritt Progressive SemiConductor Program von Audi bei

Samsung nimmt am Progressive SemiConductor Program von Audi teil. Dr. Kinam Kim, President…

Samsung Electronics

Stromsparende 12-GBit-DDR4-DRAM nun in Stückzahlen

Der koreanische Speicherprimus Samsung hat die Massenfertigung der industrieweit ersten…

Sandisk/Toshiba

3D-TLC-NAND-Flash mit 256 GBit nun in Massenfertigung

Vor 4 Monaten gab’s die ersten Muster, nun liefern Toshiba und Sandisk ihre…

Mobilprozessoren

Steht die Beziehung Samsung - Qualcomm vor ihrem Ende?

Nachdem nun klar ist, dass das neue High-End-Smartphone Galaxy S6 einen hauseigenes…

Mobile World Congress 2015

Samsungs Galaxy S6 erhält ersten 14-nm-Prozessor der Welt

Bislang ein Gerücht, jetzt offiziell: Samsungs High-End-Smartphone Galaxy S6 erhält mit…

Samsung Electronics

Stromsparende PCIe-SSDs aus Massenfertigung

Samsung Electronics fertigt seine energieeffizienten PCIe-Solid-State-Drives der…