Firma

SAMSUNG Semiconductor Europe GmbH

Schnelle DRAM-Chips

Samsung steigert Produktionsvolumen

Um der drastisch gewachsenen Marktnachfrage zu entsprechen, erhöht Samsung das Fertigungsvolumen der derzeit industrieweit schnellsten DRAM-Chips mit einer Kapazität von 8 GByte.

Apple

Limitieren NAND-Flash-Speicher die iPhone-Produktion?

Zwischen 50 und 60 Millionen iPhone 8 will Apple bis Ende des Jahres liefern – wenn…

Überholt Samsung Intel?

Über 26 Mrd. Dollar für neue NAND-Flash-IC-Fabs

Samsung hat die Produktion von 3D-NAND-Flash-Speichern mit 64 Layern in der weltweit…

MIPT: ReRAM goes 3D

Ist ReRAM analog NAND-Flash auch 3D-fähig?

ReRAM, das neben MRAM als Universal-Speicher der Zukunft gehandelt wird, ist analog…

Der Nachfolger der FinFET-Technologie

Nanosheet-Transistoren für 5-nm-Chips

Noch kleinere und noch leistungsfähigere Chips als heute? Mit der Nanosheet-Technologie…

Toshiba Electronics Europe

Schnelle SSDs mit 64-Layer-3D-NAND-Flash

Professionelle Notebooks und Systeme beschleunigt Toshibas Solid-State-Disk-Serie XG5 mit…

Toshiba Electronics Europe

Schnelle SSDs mit 64-Layer-3D-NAND-Flash

Professionelle Notebooks und Systeme beschleunigt Toshibas Solid-State-Disk-Serie XG5 mit…

Die 5-nm-IC-Generation

IBM: Nanosheet-Transistoren statt FinFETs

Nanosheet-Transistoren lösen FinFETs ab: 30 Milliarden 5-nm-Transistoren passen auf einen…

DRAMeXchange/TrendForce

NAND-Flash-Speicher weiter im Höhenflug

Die Preise für NAND-Flash-Speicher steigen im traditionell schwachen ersten Quartal weiter…

Western Digital

SSDs auf Basis von 64-Layer-3D-NAND

Western Digital liefert Solid State Drives erstmals mit 64-Layer-3D-NAND-Technologie aus.…