Firma

ROHM Semiconductor GmbH

SiC-Rampe wird ab 2025 immer steiler

Stromhunger von KI-Anwendungen treibt Leistungshalbleiter-Markt

Im SiC-Bereich fallen die neuen 400-V-SiC-MOSFETs von Infineon auf, andere Unternehmen bereiten sich vor allem auf den Übergang von 150- zu 200-mm-Wafern in der SiC-Fertigung vor. GaN erreicht in vielen Applikationen Tipping-Points und erweitert sein…

Rohm Semiconductor

EcoGaN und SiC-Power-Module

Rohm Semiconductor nutzt die Messe zur Vorstellung seiner neuen Leistungshalbleiter mit…

Liefervertrag wird aufgebohrt

STMicroelectronics erweitert SiC-Wafer-Volumen mit SiCrystal

STMicroelectronics und die Rohm-Tochter SiCrystal haben ihren bestehenden mehrjährigen…

ROHM

Primary LDOs: Industry-Leading Load Response Characteristics

ROHM has developed 45V rated 500mA output primary LDO regulators: BD9xxM5-C…

Rohm

Primär-LDOs: Branchenführendes Lastwechselverhalten

Rohm hat mit der BD9xxM5-C-Serie Primär-LDO-Regler mit einer Nenneingangsspannung von 45 V…

Advertorial: ROHM

ROHMs flexible Fertigung setzt neue Maßstäbe

Mit den flexiblen Fertigungslinien der nächsten Generation geht ROHM einen neuen Weg: Das…

Globaler Leistungshalbleiter-Bedarf

Wettlauf um den Ausbau der Fertigungskapazitäten

Mit Milliardeninvestitionen in ihre Fertigungskapazitäten versuchen…

Ausbau der Produktionskapazität

Fette Milliarden-Investitionen in SiC-Wafer- und Chips

In einer Studie kam die Boston Consulting Group zu dem Schluss, dass noch Investitionen…

7. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Zwei Tage rund um Silizium, SiC und GaN

Sie wollen sich über den bestmöglichen und effizientesten Einsatz von Silizium-, SiC- und…

ROHM Semiconductor

GaN-HEMT-Topologien für HD-LiDAR

Was sind wichtige Komponenten eines Hochleistungs-LiDAR-Systems (Light Detection and…