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Hohe Wärmeableitung

650-V-GaN-HEMT im kompakten TOLL-Gehäuse

Rohm hat mit dem GNP2070TD-Z einen 650-V-GaN-HEMT im TOLL-Gehäuse (TO-LeadLess) entwickelt. Dieses Gehäuse zeichnet sich durch ein kompaktes Design mit hervorragender Wärmeableitung, hoher Stromkapazität und überlegener Schaltleistung aus.

Rohm Semiconductor

Universelle Chipwiderstandsreihe

Rohms neue MCRx-Chipswiderstandsserie umfasst sowohl die Hochleistungsserie MCRS als auch…

Rohm: SiC-MOSFETs der vierten Generation

2-in-1-SiC-Module für kompakte xEV-Wechselrichter

Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) gewinnen bei der Entwicklung elektrischer…

For LiDAR applications

Rohm Develops 1kW Class High Power Infrared Laser Diode

Rohm has developed a high output laser diode - RLD8BQAB3 - for use in ADAS (Advanced…

Für die Automobilindustrie

Rohm und TSMC arbeiten bei GaN-Technologie noch enger zusammen

Rohm ist mit TSMC eine strategische Partnerschaft zur Entwicklung und Serienproduktion von…

Partnerschaft mit Rohm

Valeo entwickelt Leistungselektronik mit TRCDRIVE-pack-Modulen

Valeo und Rohm bündeln ihre Kompetenzen im Bereich Leistungselektronik und arbeiten…

PWM-Controller für alle Ansprüche

Flexible Hilfsstromversorgungen auf Flyback-Basis

Flyback-Hilfsstromversorgungen (20 bis 200 W) sind in Industrie und Ladegeräten weit…

Advertorial: ROHM

Kleinere xEV-Wechselrichter mit ROHMs neuem TRCDRIVE pack™

Bei der Entwicklung der Antriebssysteme von E-Fahrzeugen werden zunehmend Siliziumkarbid…

ROHM/UAES

Long-Term Supply Agreement for SiC Power Devices

ROHM and United Automotive Electronic Systems Co., Ltd., (UAES), a leading Tier 1…

SiC-Leistungsbauelemente

Rohm unterzeichnet Vertrag mit chinesischem Tier-1-Zulieferer

Rohm und der chinesische Tier-1-Automobilzulieferer United Automotive Electronic Systems…