Geringe Verlustleistung, hoher Wirkungsgrad
0,9-V-MOSFETs
Mit einer Ansteuerspannung von 0,9 V arbeiten die neuen MOSFETs der ECOMOS-Familie von Rohm Semiconductor. Sie zeichnen sich durch geringe Drain-Source-Widerstände im eingeschalteten Zustand aus, speziell bei niedrigen Gate-Spannungen.
