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Siliziumkarbid für die Industrie

Mehr Leistungsdichte für Elektroautos, Datenzentren und Industrie

Der Halbleiterhersteller Cree hat neue 650-V-MOSFETs auf Basis von Siliziumkarbid auf den Markt gebracht. Deren Effizienz soll die nächste Generation von Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Solaranwendungen ermöglichen und auch die Leistung…

Comment / Silicon Carbide

Quest for Controlling the Supply Chain

Gregg Lowe's announcement at PCIM 2019 to invest one billion Dollars into expanding Cree's…

Kommentar / Siliziumkarbid

Kampf um die Hoheit über die Lieferkette

Gregg Lowes Ankündigung auf der PCIM 2019, eine Milliarde Dollar in den Ausbau der…

Partnerschaft im SiC-Bereich

Cree arbeitet mit ABB zusammen

Cree erweitert sein Netz am Partnerschaften im SiC-Bereich und liefert in Zukunft…

更新后的产能扩张计划

Cree 将在纽约建立世界上最大的碳化硅晶圆厂

2019 年 5 月，Cree 宣布以 10 亿美元的投资在五年内将碳化硅晶圆的产能提高 30 倍。现在，该公司扩大了计划，将在纽约州建立世界上最大的碳化硅晶圆制造厂。

Aktualisierter Kapazitätsausbauplan

Cree errichtet weltgrößte SiC-Wafer-Fab in New York

Im Mai 2019 hatte Cree angekündigt, mit einer Investition von 1 Milliarde Dollar die…

Delphi und Cree

Kooperation für kürzere Ladezeiten

In Delphis DC/DC-Wandlern und Ladegeräten werden zukünftig SiC-Halbleiter eingesetzt. Mit…

Cree und ON Semiconductor

Langfristiger Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer

Nach Infineon, einem namentlich nicht genannten Unternehmen sowie STMicroelectronics hat…

Interview mit Gregg Lowe, Cree

Warum wir eine Milliarde Dollar investieren

Waferkapazität ist der Engpass bei der Kommerzialisierung von Siliziumkarbid. Auf der PCIM…

Von SiC und GaN

E-Mobility und 5G als Treiber

Weltweit wird in den Ausbau der SiC-Fertigung investiert. Nachdem inzwischen fast alle…