Sperrspannungen von 650, 900 und 1200 V
SiC-MOSFETs nehmen Super-Junction-MOSFET-Anwendungen ins Visier
Mit 650- und 900-V-SiC-MOSFETs nähern sich Hersteller wie Rohm Semiconductor und Cree Applikationsbereichen an, die neben IGBTs bislang auch von Super-Junction-MOSFETs bedient wurden. In Zukunft dürften wohl noch mehr SiC-MOSFETs mit Sperrspannungen…