nvSRAMs
Vereint die Vorzüge verschiedener Technologien
Das Vertriebsprogramm von Endrich ist durch nichtflüchtige SRAM-Speicher (nvSRAMs) des Dresdner Herstellers Anvo-Systems vielfältiger worden.
Die nvSRAMs, die von Endrich sowohl als parallele als auch serielle Speicherbausteine angeboten werden, verbinden die typischen Eigenschaften von SRAMs mit der extremen Robustheit, der Energieeffizienz und dem günstigen Preis der Sonos-Flash-Technologie. Weitere Vorteile sind das schnelle Standard-SRAM- oder SPI-Interface und die unbegrenzte Zahl der Lese- und Schreibvorgänge.
nvSRAMs empfehlen sich als kostengünstige, äußerst zuverlässige und nichtflüchtige Alternative zu FRAMs und MRAMs. Sie erreichen deutlich höhere Schreibgeschwindigkeiten und bieten den Vorzug prüfsummengeschützter Speicherzugriffe. nvSRAMs eignen sich ebenfalls als Alternative zu konventionellen Flash- und EEPROM-Speichern und senken dank ihrer Power-Down-Funktion den Strombedarf der Systeme.
Serielle nvSRAMs sind mit Kapazitäten von 64 Kbit bis 1 Mbit (66 MHz) verfügbar, parallele nvSRAMs mit Kapazitäten von 256 kbit bis 1 Mbit mit einer Zugriffszeit von 25 ns. Die Bausteine können mit 2,7 bis 3,6 V betrieben werden. Die Speicher gibt es wahlweise für den kommerziellen oder den industriellen Temperaturbereich und sind mit den Gehäusetypen SOP, DFN oder TSSOP verfügbar.
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