Newsletter
Events
Media
Ansprechpartner
RSS
اللغة العربية
中文
ENGLISH
Rubriken
Rubriken
Halbleiter
Automotive
Embedded
Automation
Power
Optoelektronik
Distribution
Kommunikation
Elektronikfertigung
Messen + Testen
E-Mechanik+Passive
IT & Security
Smarter World
Medizintechnik
Verteidigungstechnik
Karriere
اللغة العربية
International
Chinese
Ticker
Bilder
Videos
Marktübersichten
Podcast
Whitepaper
Web Seminare
Glossar
Matchmaker+
Newsletter
Events
Media
Ansprechpartner
RSS
Schwerpunkte
Women4Electronics
Raspberry Pi
Natrium Ionen Akku
Gehaltsreport
Redaktionelle Ansprechpartner
Startseite
>
Automotive
>
Transistor am Limit
Betrieb von Trench-Power-MOSFETs im Linearbereich
Transistor am Limit
23. Februar 2012, 17:26 Uhr | Dr. Felix Hüning
▶
Diesen Artikel anhören
Fortsetzung des Artikels von
Teil 6
Der Autor:
Dr. Felix Hüning arbeitet als Principal Engineer bei Renesas Electronics Europe. Innerhalb der Automotive Business Group beschäftigt er sich mit Leistungshalbleitern, insbesondere Leistungs-MOSFETs, für den Automobilbereich.
Seite 7 von 7
Transistor am Limit
SOA-Diagramme legen die Grenzen fest
Schaltanwendung
Active-Clamp-Betrieb
Linearer Spannungsregler
SOA verringert sich zunehmend
Der Autor:
Lesen Sie mehr zum Thema
Renesas Electronics Europe GmbH
Leistungshalbleiter-ICs
Das könnte Sie auch interessieren
Superjunction-MOSFETs
Hohe Leistungsdichte und geringe Schaltverluste für mehr Energieeffizienz im (Elektro-)Auto
Gehäuse-Technologie für Leistungshalbleiter
Mit hoher Stromtragfähigkeit und hohem Wirkungsgrad
Infineon Technologies
100 Prozent bleifreier Automotive-MOSFET
Infineon Technologies AG
MOSFETs für energieeffiziente Anwendungen im Auto
International Rectifier
Automotive-qualifizierte MOSFETs
Weitere Artikel zu Renesas Electronics Europe GmbH
Renesas Electronics
Motor Control MCUs
Renesas Electronics
MCUs für Motorsteuerungen
Renesas Electronics
Ultra-Low-Power-MCUs mit kapazitiver Touch-Funktionalität
Renesas Electronics
Ultra-Low-Power RA0 MCUs with Capacitive Touch
Renesas Electronics
Ultra-Low-Power-MCUs mit erweiterten Sicherheitsfunktionen
Weitere Artikel zu Leistungshalbleiter-ICs
Imec
Neues 300-mm-GaN-Programm für Low- und High-Voltage-Anwendungen
Bosch forscht an Vertical GaN
»Aktuell liegt unser Fokus ganz klar auf SiC«
Kompakte, leistungsstarke Stromwandlung
Floating-Ground-nicht-isolierte Halbbrücken-Gate-Treiber
SiC power electronics packages
Infineon and Rohm collaborate
Gehäuse für SiC-Leistungshalbleiter
Infineon kooperiert mit Rohm