Newsletter
Events
Media
Ansprechpartner
RSS
اللغة العربية
中文
ENGLISH
Rubriken
Rubriken
Halbleiter
Automotive
Embedded
Automation
Power
Optoelektronik
Distribution
Kommunikation
Elektronikfertigung
Messen + Testen
E-Mechanik+Passive
IT & Security
Smarter World
Medizintechnik
Verteidigungstechnik
Karriere
اللغة العربية
International
Chinese
Ticker
Bilder
Videos
Marktübersichten
Podcast
Whitepaper
Web Seminare
Glossar
Matchmaker+
Newsletter
Events
Media
Ansprechpartner
RSS
Schwerpunkte
Women4Electronics
Raspberry Pi
Natrium Ionen Akku
Gehaltsreport
Redaktionelle Ansprechpartner
Startseite
>
Automotive
>
Transistor am Limit
Betrieb von Trench-Power-MOSFETs im Linearbereich
Transistor am Limit
23. Februar 2012, 17:26 Uhr | Dr. Felix Hüning
▶
Diesen Artikel anhören
Fortsetzung des Artikels von
Teil 6
Der Autor:
Dr. Felix Hüning arbeitet als Principal Engineer bei Renesas Electronics Europe. Innerhalb der Automotive Business Group beschäftigt er sich mit Leistungshalbleitern, insbesondere Leistungs-MOSFETs, für den Automobilbereich.
Seite 7 von 7
Transistor am Limit
SOA-Diagramme legen die Grenzen fest
Schaltanwendung
Active-Clamp-Betrieb
Linearer Spannungsregler
SOA verringert sich zunehmend
Der Autor:
Lesen Sie mehr zum Thema
Renesas Electronics Europe GmbH
Leistungshalbleiter-ICs
Das könnte Sie auch interessieren
Superjunction-MOSFETs
Hohe Leistungsdichte und geringe Schaltverluste für mehr Energieeffizienz im (Elektro-)Auto
Gehäuse-Technologie für Leistungshalbleiter
Mit hoher Stromtragfähigkeit und hohem Wirkungsgrad
Infineon Technologies
100 Prozent bleifreier Automotive-MOSFET
Infineon Technologies AG
MOSFETs für energieeffiziente Anwendungen im Auto
International Rectifier
Automotive-qualifizierte MOSFETs
Weitere Artikel zu Renesas Electronics Europe GmbH
Produkte des Jahres 2026
Die Nominierten der Kategorie »Halbleiter und IP«
embedded world North America
Humanoide Robotik, Vision AI und nachhaltige KI
Renesas Electronics
Motor Control MCUs
Renesas Electronics
MCUs für Motorsteuerungen
Renesas Electronics
Ultra-Low-Power-MCUs mit kapazitiver Touch-Funktionalität
Weitere Artikel zu Leistungshalbleiter-ICs
Cambridge GaN Devices (CGD)
Fabio Necco folgt auf CGD-Mitgründerin Giorgia Longobardi
GaN-Mikrowechselrichter von Enphase
Höhere Schaltfrequenz, höherer Wirkungsgrad
بسبب الاستثمارات في الذكاء الاصطناعي
إيرادات معدات أشباه الموصلات تحقق مستويات قياسية
Menlo Micro und Microchip
Erstes MEMS-basiertes Hot-Switched-Power-Panel validiert
صناعة أشباه الموصلات في أوروبا
بنك الاستثمار الأوروبي يموّل STMicroelectronics