IMEC und Applied Materials bereiten den Weg zu GaN-LEDs der nächsten Generation
GaN-Epi-Layer auf 200mm-Si-Substraten für LEDs
22. August 2011, 14:02 Uhr |
Kai Cheng, Johan Dekoster (Imec), Sung Won Jun, Jose-Ignacio Del-Agua-Borniquel (Applied Materials)
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Fortsetzung des Artikels von Teil 6
Die Autoren
Kai Cheng und Johan Dekoster sind wissenschaftliche Mitarbeiter bei, Imec, Leuven, Belgien. Sung Won Jun und Jose-Ignacio Del-Agua-Borniquel sind Mitarbeiter von Applied Materials.
- GaN-Epi-Layer auf 200mm-Si-Substraten für LEDs
- GaN-basierte LED-Stacks und AlN-Keimschicht
- Zug- und Druckspannungen
- Aufwachsen von Si-dotierten n-GaN-Layern
- Aktive MQW-Region und p-GaN-Layer: erste Resultate
- Fazit
- Die Autoren
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