IMEC und Applied Materials bereiten den Weg zu GaN-LEDs der nächsten Generation
GaN-Epi-Layer auf 200mm-Si-Substraten für LEDs
Fortsetzung des Artikels von Teil 5
Fazit
GaN-on-Si wird zu einer kosteneffektiven Methode für LEDs der nächsten Generation. Das erfordert die Entwicklung einer GaN-Epitaxie auf großen (200 mm) Si-Substraten. Mit einem Cluster-Tool von Applied Materials lassen sich bereits gut optimierte und hoch qualitative GaN-Layer auf 200-mm Si-(111-)Wafern erzeugen. Der primär wichtige Schritt ist die Epitaxie hoch qualitativer AlN-Keimschichten, um den Si/Ga Etch-melt Effekt zu vermeiden. Wir haben eine der besten Methoden für AlN-Wachstum gefunden und dabei die Bedeutung der Kammervorbereitung etabliert. Mit einem AlGaN-Zwischenlayer ist es möglich, die Waferbiegung durch einen nachgeordneten u-GaN-Layer zu kontrollieren. Mit diesem Prozesswissen liegen die grundlegenden Schritte vor, um dicke (2,5 µm) Si-dotierte n-GaN-Layer mit vergleichbaren Eigenschaften wie bei n-GaN auf Saphir zu erzeugen. Diese n-GaN-Vorlage ist der Ausgangspunkt für weitere aktive Layer (MQW) und die Erzeugung von p-GaN.
- GaN-Epi-Layer auf 200mm-Si-Substraten für LEDs
- GaN-basierte LED-Stacks und AlN-Keimschicht
- Zug- und Druckspannungen
- Aufwachsen von Si-dotierten n-GaN-Layern
- Aktive MQW-Region und p-GaN-Layer: erste Resultate
- Fazit
- Die Autoren
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