Produkt

50 Mio. Pfund investiert

Britische Regierung fördert SiC und GaN

Mit insgesamt 50. Mio. Pfund fördert die britische Regierung das »Compound Semiconductor Applications Catapult«. Dieses Innovationszentrum für Verbindungshalbleiter, von denen SiC und GaN die bekanntesten Vertreter sind, entsteht in Wales.

IHS: Konjunkturdelle in China bremst auch 2016 auf…

MEMS-Mikrophone trotzen dem Preisverfall

Laut IHS Technology wirkt sich die schwindende Wirtschaftsdynamik Chinas auf alle…

Interview mit Adam Khan, CEO von Akhan Semi

»Diamantenes Zeitalter« der Mikroelektronik kann kommen

Ende November 2015 berichteten wir über die ersten kommerziellen Halbleiterprodukte aus…

Mikroelektronik

Tapeout des ersten 5-nm-Test-Chips

Das Forschungszentrum imec und die Firma Cadence haben gemeinsam das erste Tapeout eines…

Forschungserfolg an der TU München

Quantencomputer aus gängigen Halbleitermaterialien

Physiker der TU München, des Los Alamos National Laboratory und der Universität Stanford…

Diamant-basierte Halbleiter

Akhan liefert erste kommerzielle Produkte Anfang 2016 aus

Akhan Semiconductor hat bekanntgegeben, dass der erste kommerzielle Kunde in Q1/2016…

Packaging

Stacked-MOSFET steigern Effizienz und Leistungsdichte

Angesichts der wachsenden Anforderungen an den Wirkungsgrad und die Leistungsdichte liegt…

STMicroelectronics

Schnelles Wachstum bei Automotive-Sensoren

STMicroelectronics (ST) ist laut einer IHS-Analyse zurzeit Spitzenreiter im Bereich von…

SEMICON Europa 2015

»Silizium bleibt das Arbeitspferd der Leistungselektronik«

Zwei halbe Tage beschäftigte sich ein Konferenzteil auf der SEMICON Europa 2015 mit…

Cluster-Allianz

»Silicon Europe Alliance« – der Galaxienhaufen der Halbleiterei

Nur noch 8 der 100 größten Hochtechnologieunternehmen stammen aus Europa. Diesem Trend…