Produkt

MEMS- und Halbleitersensoren

Fraunhofer IAF / Leistungshalbleiter

Aluminiumscandiumnitrid erstmals per MOCVD hergestellt

HEMT-Bauelemente auf der Basis von AlScN gelten als die nächste Generation der Leistungselektronik. Nun ist Forschern des Fraunhofer IAF das bislang Unmögliche gelungen – die Herstellung dieses Materials per metallorganischer chemischer…

IVAM Fachverband für Mikrotechnik

Umfrage: Datenschutz kann Technologien und KMU ausbremsen

In einer Umfrage des IVAM Fachverbandes für Mikrotechnik gaben zwei Drittel der Teilnehmer…

Mikrosystemtechnik

MIT integriert Silizium- und Verbindungshalbleiter miteinander

In der Optoelektronik und der Mobilfunktechnik dominiert immer noch Bauelemente aus…

TE Connectivity

Drucksensoren von Elmos

Measurement Specialties, eine Tochter von TE Connectivity, übernimmt Silicon…

Dreidimensionale Bauelemente

Magnetisches Origami für die Mikroelektronik

Forscher aus Dresden und Chemnitz arbeiten an einer neuen Methode zur Herstellung…

Firmenübernahme

Teledyne kauft Micralyne

Der Teledyne-Mischkonzern, zu dem auch Teledyne LeCroy gehört, hat den kanadischen…

KU Leuven und imec

Mit »Schaumstoff« zu kleineren, leistungsfähigeren Chips

Belgische Forscher haben eine neue Technik zur Isolierung von Mikrochips entwickelt. Sie…

Technical University of Munich

Quantum Light Sources for Photonic Circuits

Today's electronics are based on electrons as information carriers. In the future, photons…

Showa Denko / SiC-Epitaxiewafer

Defektdichte halbiert

»HGE-2G« heißt die zweite Generation von hochwertigen 150-mm-Epitaxiewafern aus…

STMicroelectronics

Gewaltiger Einbruch bei Mikrocontrollern und Digital-ICs

Im zweiten Quartal 2019 musste ST mit der Profitabilität kämpfen. Während zwei von drei…