Produkt

MEMS- und Halbleitersensoren

Joint Project "ForMikro-GoNext"

Driving Gallium Oxide for Vertical Power Semiconductors

The ForMikro-GoNext joint project examines beta-gallium oxide. Participants include the Leibniz Institute for Crystal Growth, the Ferdinand Braun Institute, the University of Bremen as well as ABB and Aixtron. The project is funded by the BMBF with…

Verbundprojekt »ForMikro-GoNext«

Galliumoxid für vertikale Leistungshalbleiter vorantreiben

Um Beta-Galliumoxid dreht sich das Verbundprojekt ForMikro-GoNext. Involviert sind das…

Dynamikbereich von 120 dB

TI Burr-Brown Audio ADC vervierfacht Spracherfassungsdistanz

Für Smart Home-Anwendungen wie Smart Speaker bietet Texas Instruments einen Burr-Brown…

Leistungselektronik bei der IEDM

Europa als Innovationstreiber

Auf dem 65. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) finden sich zum Thema…

Mikrosystemtechnik-Kongress 2019

VDE fordert Mikroelektronik-Offensive für Europa

Der VDE sieht die Spitzenposition Deutschlands in der Mikroelektronik bröckeln und warnt…

MEMS-basierte Frequenzgeber

SiTime will an die Börse

Der Hersteller von MEMS-basierten Frequenzgebern strebt jetzt den Börsengang in den USA…

Fraunhofer IAF / Power Semiconductors

Aluminum Scandium Nitride for the First Time Processed by MOCVD

HEMT devices based on AlScN are considered the next generation of power electronics. Now,…

Fraunhofer IAF / Leistungshalbleiter

Aluminiumscandiumnitrid erstmals per MOCVD hergestellt

HEMT-Bauelemente auf der Basis von AlScN gelten als die nächste Generation der…

IVAM Fachverband für Mikrotechnik

Umfrage: Datenschutz kann Technologien und KMU ausbremsen

In einer Umfrage des IVAM Fachverbandes für Mikrotechnik gaben zwei Drittel der Teilnehmer…

Mikrosystemtechnik

MIT integriert Silizium- und Verbindungshalbleiter miteinander

In der Optoelektronik und der Mobilfunktechnik dominiert immer noch Bauelemente aus…