Produkt

MEMS- und Halbleitersensoren

Verbundprojekt »ForMikro-GoNext«

Galliumoxid für vertikale Leistungshalbleiter vorantreiben

Um Beta-Galliumoxid dreht sich das Verbundprojekt ForMikro-GoNext. Involviert sind das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, das Ferdinand-Braun-Institut, die Universität Bremen sowie die Industriepartner ABB und Aixtron. Es wird vom BMBF mit rund 2…

Dynamikbereich von 120 dB

TI Burr-Brown Audio ADC vervierfacht Spracherfassungsdistanz

Für Smart Home-Anwendungen wie Smart Speaker bietet Texas Instruments einen Burr-Brown…

Leistungselektronik bei der IEDM

Europa als Innovationstreiber

Auf dem 65. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) finden sich zum Thema…

Mikrosystemtechnik-Kongress 2019

VDE fordert Mikroelektronik-Offensive für Europa

Der VDE sieht die Spitzenposition Deutschlands in der Mikroelektronik bröckeln und warnt…

MEMS-basierte Frequenzgeber

SiTime will an die Börse

Der Hersteller von MEMS-basierten Frequenzgebern strebt jetzt den Börsengang in den USA…

Fraunhofer IAF / Power Semiconductors

Aluminum Scandium Nitride for the First Time Processed by MOCVD

HEMT devices based on AlScN are considered the next generation of power electronics. Now,…

Fraunhofer IAF / Leistungshalbleiter

Aluminiumscandiumnitrid erstmals per MOCVD hergestellt

HEMT-Bauelemente auf der Basis von AlScN gelten als die nächste Generation der…

IVAM Fachverband für Mikrotechnik

Umfrage: Datenschutz kann Technologien und KMU ausbremsen

In einer Umfrage des IVAM Fachverbandes für Mikrotechnik gaben zwei Drittel der Teilnehmer…

Mikrosystemtechnik

MIT integriert Silizium- und Verbindungshalbleiter miteinander

In der Optoelektronik und der Mobilfunktechnik dominiert immer noch Bauelemente aus…

TE Connectivity

Drucksensoren von Elmos

Measurement Specialties, eine Tochter von TE Connectivity, übernimmt Silicon…