Produkt

MEMS- und Halbleitersensoren

Dreifache Durchbruchfeldstärke

SweGaN entdeckt neues Epitaxie-Verfahren für GaN auf SiC

Galliumnitrid auf Siliziumkarbid epitaktisch aufzuwachsen ist zwar nicht so komplex wie auf Silizium, aber trotzdem nicht trivial. Zufällig stellten Entwickler bei SweGaN fest, dass ihre GaN-on-SiC-Transistoren dreimal höhere Feldstärken verkraften,…

Neue MEMS-Mikrospiegel-Arrays

Tiefe Einblicke für Roboter und Autos

MEMS-Mikrospiegel-Arrays erkennen Materialien, Roboter und Autos können mit ihnen ihre…

Aktuelle Technologie-Roadmap des ZVEI

Vier Megatrends beeinflussen die Entwicklung von Bauelementen

Der digitale Wandel transformiert unumkehrbar Wirtschaft und Gesellschaft. Dr. Andreas…

Europa bei Gas-Pipeline düpiert

Deutschlands Hilflosigkeit gegenüber „America first“

Sowohl US-Präsident Trump als auch der Kongress lehnen die Ostsee-Pipeline Nord Stream 2…

Infineon und Syntiant

Always-on-Voice-Interface für Edge-Geräte

Mit der Kombination aus dem Neural Decision Processor von Syntiant und dem…

Mikrosystemtechnik

Stößt ein neuartiger Bipolar-Prozess CMOS vom Thron?

Nicht weniger als die Halbleiterindustrie auf den Kopf stellen wollen Search For The Next…

Joint Project "ForMikro-GoNext"

Driving Gallium Oxide for Vertical Power Semiconductors

The ForMikro-GoNext joint project examines beta-gallium oxide. Participants include the…

Verbundprojekt »ForMikro-GoNext«

Galliumoxid für vertikale Leistungshalbleiter vorantreiben

Um Beta-Galliumoxid dreht sich das Verbundprojekt ForMikro-GoNext. Involviert sind das…

Dynamikbereich von 120 dB

TI Burr-Brown Audio ADC vervierfacht Spracherfassungsdistanz

Für Smart Home-Anwendungen wie Smart Speaker bietet Texas Instruments einen Burr-Brown…

Leistungselektronik bei der IEDM

Europa als Innovationstreiber

Auf dem 65. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) finden sich zum Thema…