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Leistungshalbleiter-ICs

© Infineon

»CoolSiC« macht´s möglich

400-kW-Station lädt E-Autos in 10 Minuten

Die neue 400-kW-Ladestation von Ingeteam nutzt die »CoolSiC«-MOSFETS von Infineon, um Elektrofahrzeuge innerhalb von 10 Minuten auf 80 Prozent zu laden.

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© Fraunhofer IAF

Fraunhofer IAF

GaN-on-Si Half-Bridge for 600 V Embedded Into a PCB

Researchers at the Fraunhofer IAF have integrated their monolithically integrated GaN…

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© Fraunhofer IAF

Fraunhofer IAF

GaN-auf-Si-Halbbrücke für 600 V in Platine integriert

Forscher des Fraunhofer IAF haben ihre monolithisch integrierten GaN-Power-ICs mittels…

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© Infineon

IGBT-Module in rauen Umgebungen

Bis zu 20 Jahre Lebensdauer durch erweiterten H2S-Schutz

In rauen Umgebungen muss Leistungselektronik robust sein, einen großen Einfluss auf die…

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© Rohm Semiconductor

SiC-MOSFET-Halbleiter

40 % weniger Einschaltwiderstand für Elektrofahrzeuge

SiC-MOSFETS in Elektroautos verprechen hohe Wirkungsgrade, weniger Verluste und am Ende…

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© Rohm Semiconductor

Ansteuerung von LEDs

Moderne Beleuchtungslösungen für Automobilanwendungen

Bei Scheinwerfern und Rückleuchten kommen vermehrt Produkte zur automatischen…

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© Nexperia

Silizium-, SiGe- und GaN-Komponenten

Konsequenter Portfolio-Ausbau

650-V-GaN-FETs, SiGe-Gleichrichter und ein weiterer Ausbau des AEC-Q101-qualifizierten…

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© m.mphoto / AdobeStock

Corona und Leistungshalbleiter

Abgesackt auf das Umsatzniveau von 2016

Als Folge der gegen die Corona-Pandemie getroffenen Maßnahmen rechnen die Analysten von…

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© X-FAB

Fünfjahresvertrag abgeschlossen

GTAT beliefert ON Semiconductor mit SiC-Rohmaterial

Einen 50 Mio. US-Dollar schweren Liefervertrag über das Siliziumkarbid-Material CrystX…

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© Componeers GmbH

Markt&Technik-Leserwahl

Die Hall of Fame der »Manager des Jahres«

Wer von den Markt&Technik-Lesern drei Mal zum »Manager des Jahres« gewählt wurde, erhält…

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