Die neue 400-kW-Ladestation von Ingeteam nutzt die »CoolSiC«-MOSFETS von Infineon, um Elektrofahrzeuge innerhalb von 10 Minuten auf 80 Prozent zu laden.
Researchers at the Fraunhofer IAF have integrated their monolithically integrated GaN…
Forscher des Fraunhofer IAF haben ihre monolithisch integrierten GaN-Power-ICs mittels…
In rauen Umgebungen muss Leistungselektronik robust sein, einen großen Einfluss auf die…
SiC-MOSFETS in Elektroautos verprechen hohe Wirkungsgrade, weniger Verluste und am Ende…
Bei Scheinwerfern und Rückleuchten kommen vermehrt Produkte zur automatischen…
650-V-GaN-FETs, SiGe-Gleichrichter und ein weiterer Ausbau des AEC-Q101-qualifizierten…
Als Folge der gegen die Corona-Pandemie getroffenen Maßnahmen rechnen die Analysten von…
Einen 50 Mio. US-Dollar schweren Liefervertrag über das Siliziumkarbid-Material CrystX…
Wer von den Markt&Technik-Lesern drei Mal zum »Manager des Jahres« gewählt wurde, erhält…