Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Leistungshalbleiter charakterisieren

Zuverlässigere Doppelpulstests

Beim Charakterisieren von Leistungshalbleitern treten Störeffekte durch Isolationsimpedanzen und unpassende Shunts auf. Manche Messgeräte kompensieren diese Effekte automatisch und erzielen deutlich bessere Messergebnisse.

Toshiba / Siliziumkarbid

Zweite SiC-MOSFET-Generation

Als ersten Siliziumkarbid-MOSFET, der auf der im Juli 2020 vorgestellten zweiten…

Dr. Peter Friedrichs, Infineon

How to Reduce SiC Wafer Prices Faster

Infineon continuously expands its portfolio of silicon carbide devices. So we asked Dr.…

Dr. Peter Friedrichs, Infineon

Wie die Preise für Siliziumkarbid-Wafer schneller sinken

Infineon erweitert sein Portfolio an Siliziumkarbid-Bauelementen sukzessive. Also…

Neuartige Leistungshalbleiter

Siliziumtransistoren mit der Performance von SiC und GaN

Hinter Bizen (Bipolar/Zener) verbirgt sich eine neuartige Prozesstechnologie für…

GaN-Plattform mit integriertem Treiber

Smartphones in weniger als 10 Minuten laden

Wer bisher die Vorteile von GaN-Leistungshalbleitern nutzen wollte, der musste lernen, wie…

Leistungshalbleiter | Stromversorgung

Wenn GaN bei 100 V Si-MOSFETs schlägt

Der Galliumnitrid-Evangelist EPC hat neue GaN-Fets für 100-V-Anwendungen auf den Markt…

Yole Développement

Chinas Rolle bei der Leistungselektronik wächst

Auch wenn China der weltweit größte Markt für Elektro- und Hybrid-Fahrzeuge ist, sind die…

Wandel im Halbleitermarkt

Autobranche pusht Leistungselektronik, Markt wächst gen China

Der 17,5 Milliarden-Markt für Leistungselektronik soll bis 2025 um über 4 % pro Jahr…

Interview mit Alex Lidow, EPC

Was gibt’s Neues bei Galliumnitrid?

Alex Lidow ist der CEO von Efficient Power Conversion. Bereits 2009 lieferte der wohl…