Produkt

Smarte Gate-Treiber mit UL-Zertifikat

Leistungswandlung de luxe

Durch den Umstieg von Silizium- auf SiC-basierte Leistungsschalter steigen auch die Herausforderungen im Schaltungsdesign. Der Einsatz von integrierten Smart-Gate-Treibern mit UL/cUL-Zertifizierung kann die Entwicklungszeit maßgeblich verkürzen.

Wechselstationen für Batterien

Kann das funktionieren?

Vor einigen Jahren hatte Better Place versucht, mit Wechselstationen und…

Software-Defined Vehicle

Gar nicht so einfach!

Die Idee eines Software-definierten Fahrzeugs hat durchaus ihre Reize, die Umsetzung ist…

IGBT- und MOSFET-Module

Mit dem digitalen Zwilling Bonddrähte langlebiger machen

Eine der Schwachstellen in IGBT- oder MOSFET-Modulen sind die Bonddrähte. Temperatur- und…

Texas Instruments

»Wir bereiten uns auf den kommenden Bedarf vor«

Die Lieferprobleme der letzten zwei Jahren sollen sich nicht wiederholen. Markt&Technik…

Für die Elektromobilität

Wolfspeed plant weltweit größte SiC-Waferfab im Saarland

Medienberichten zufolge will Wolfspeed im Saarland für 3 Mrd. US-Dollar eine Wafer-Fab für…

Neue SiC-MOSFETs von Toshiba

Drei Vorteile mit Sparpotenzial kombiniert

SiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) haben eine ganze Reihe von Vorteilen gegenüber ihren Pendants…

Galliumnitrid-Halbbrücke

Umrichter in Antriebe integrieren

Elektrische Antriebe gelten als Energiefresser. Zwar können Umrichter auf Basis von…

Fehlgeleitete Subventionen

Wenn Siliziumkarbid beim Juwelier landet

Laut der Digitimes Asia sollen Investoren SiC-Kristalle der Güteklasse B als Moissanit an…

Leistungshalbleitermarkt

Rezession birgt Gefahr des Umsatzrückgangs

Unter dem Eindruck veränderter wirtschaftlicher Rahmenbedingungen rechnen die Analysten…