Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Kooperation mit der Foundry Vanguard

EPC dehnt die GaN-Fertigung auf 200-mm-Wafer aus

Ab Anfang 2023 wird Vanguard International Semiconductor (VIS) Galliumnitrid-Leistungshalbleiter auf 200-mm-Wafern für Efficient Power Conversion (EPC) fertigen. Damit erweitert EPC seine Fertigungskapazitäten massiv, um die wachsende Nachfrage…

Übernahme von Nile

Linxens stärkt seine Medizin-Sparte

Der Halbleiter- und Mikroverbinder-Hersteller Linxens hat das schwedische…

Galliumnitrid auf keramischem Substrat

Vanguard startet Massenfertigung von GaN-on-QST

Üblicherweise nutzt man Silizium-Wafer als Substrat für GaN-Transistoren. Doch nun hat die…

Siliziumkarbid-Wafer

STMicroelectronics will SmartSiC-Technologie von Soitec nutzen

Da Wafer-Substrate noch länger der Engpass bei Siliziumkarbid bleiben, gibt es…

75 Jahre jung

Der Transistor – eine unendliche Geschichte

Der Transistor feiert dieses Jahr seinen 75. Geburtstag – zumindest, wenn man die erste…

ECPE-Positionspapier

Leistungselektronik als Schlüssel zur All-Electric Society

Als Schlüsseltechnologie für Energieeffizienz und Nachhaltigkeit wird die…

electronica 2022 - Podiumsdiskussion

Galliumnitrid für industrielle und automobile Anwendungen

Galliumnitrid wird in Millionen-Stückzahlen in Ladegeräten für unsere mobilen Geräte…

Hassane El-Khoury, CEO von onsemi

»Fokus auf SiC! Brauchen wir GaN, kaufen wir es zu«

Auf der electronica fragten wir Hassane El-Khoury, President und CEO von onsemi, warum und…

WSTS-Prognose

2022 soll der Zuwachs kleiner sein, 2023 schrumpft der Markt

In seiner Herbstprognose geht der WSTS davon aus, dass sich das Wachstum des weltweiten…

Galliumnitrid-Transistoren

EPC präsentiert sechste eGaN-Generation

Fünfmal kleiner als ein äquivalenter Silizium-MOSFET und doppelt so leistungsfähig wie die…