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Leistungshalbleiter-ICs

© Renesas Electronics

Renesas Electronics

»Das Automotive-Geschäft entwickelt sich prächtig«

Die IIoT-Business-Unit (BU) von Renesas Electronics kann mit enormen Zuwachsraten aufwarten, die Automotive-BU nicht. Takeshi Kataoka, Senior Vice President & General Manager der Automotive Solution Business Unit bei Renesas Electronics, ist dennoch…

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© Toshiba

Smarte Gate-Treiber mit UL-Zertifikat

Leistungswandlung de luxe

Durch den Umstieg von Silizium- auf SiC-basierte Leistungsschalter steigen auch die…

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© Mio

Wechselstationen für Batterien

Kann das funktionieren?

Vor einigen Jahren hatte Better Place versucht, mit Wechselstationen und…

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© Lee/stock.adobe.com

Software-Defined Vehicle

Gar nicht so einfach!

Die Idee eines Software-definierten Fahrzeugs hat durchaus ihre Reize, die Umsetzung ist…

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© Pascal Kimmich

IGBT- und MOSFET-Module

Mit dem digitalen Zwilling Bonddrähte langlebiger machen

Eine der Schwachstellen in IGBT- oder MOSFET-Modulen sind die Bonddrähte. Temperatur- und…

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© Texas Instruments

Texas Instruments

»Wir bereiten uns auf den kommenden Bedarf vor«

Die Lieferprobleme der letzten zwei Jahren sollen sich nicht wiederholen. Markt&Technik…

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© Cree

Für die Elektromobilität

Wolfspeed plant weltweit größte SiC-Waferfab im Saarland

Medienberichten zufolge will Wolfspeed im Saarland für 3 Mrd. US-Dollar eine Wafer-Fab für…

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© Glyn

Neue SiC-MOSFETs von Toshiba

Drei Vorteile mit Sparpotenzial kombiniert

SiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) haben eine ganze Reihe von Vorteilen gegenüber ihren Pendants…

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© Navitas Semiconductor

Galliumnitrid-Halbbrücke

Umrichter in Antriebe integrieren

Elektrische Antriebe gelten als Energiefresser. Zwar können Umrichter auf Basis von…

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© Pexels/Pixabay

Fehlgeleitete Subventionen

Wenn Siliziumkarbid beim Juwelier landet

Laut der Digitimes Asia sollen Investoren SiC-Kristalle der Güteklasse B als Moissanit an…

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