Produkt

Im L-TOGL-Gehäuse

40 V-MOSFETs mit hoher Strombelastbarkeit

Toshiba stellt zwei neue 40 V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vor. Durch ihr L-TOGL-Gehäuse und die daraus resultierende bessere Wärmeableitung könnend die MOSFETs höhere Ströme handhaben.

Renesas Electronics

»Das Automotive-Geschäft entwickelt sich prächtig«

Die IIoT-Business-Unit (BU) von Renesas Electronics kann mit enormen Zuwachsraten…

Smarte Gate-Treiber mit UL-Zertifikat

Leistungswandlung de luxe

Durch den Umstieg von Silizium- auf SiC-basierte Leistungsschalter steigen auch die…

Wechselstationen für Batterien

Kann das funktionieren?

Vor einigen Jahren hatte Better Place versucht, mit Wechselstationen und…

Software-Defined Vehicle

Gar nicht so einfach!

Die Idee eines Software-definierten Fahrzeugs hat durchaus ihre Reize, die Umsetzung ist…

IGBT- und MOSFET-Module

Mit dem digitalen Zwilling Bonddrähte langlebiger machen

Eine der Schwachstellen in IGBT- oder MOSFET-Modulen sind die Bonddrähte. Temperatur- und…

Texas Instruments

»Wir bereiten uns auf den kommenden Bedarf vor«

Die Lieferprobleme der letzten zwei Jahren sollen sich nicht wiederholen. Markt&Technik…

Für die Elektromobilität

Wolfspeed plant weltweit größte SiC-Waferfab im Saarland

Medienberichten zufolge will Wolfspeed im Saarland für 3 Mrd. US-Dollar eine Wafer-Fab für…

Neue SiC-MOSFETs von Toshiba

Drei Vorteile mit Sparpotenzial kombiniert

SiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) haben eine ganze Reihe von Vorteilen gegenüber ihren Pendants…

Galliumnitrid-Halbbrücke

Umrichter in Antriebe integrieren

Elektrische Antriebe gelten als Energiefresser. Zwar können Umrichter auf Basis von…