Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Toshiba Electronics Europe

Automotive-MOSFETs im neuen Gehäuse

Toshiba Electronics Europe stellt zwei 40 V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für den Automotive-Bereich vor, die auf dem neuesten U-MOS-IX-H-Prozess basieren. Die Bausteine verwenden ein neues S-TOGLTM-Gehäuse (Small Transistor Outline Gull-Wing Leads), das in Automotive-Anwendungen viele Vorteile bietet.

Uneinheitliche Versorgungssituation

»Alles rund um Energie-Transformation boomt«

Nach wie vor Allokations-Situation bei SiC, Small Signal-MOSFETs dagegen sind fast von...

Renesas Electronics

Neue Organisationsstruktur

Renesas Electronics ändert seine Organisationsstruktur und ernennt neue Führungskräfte....

Renesas Electronics

New Organizational Structure

Renesas Electronics announced a new organizational structure and leadership team...

ROHM Semiconductor

GaN-HEMT-Topologien für HD-LiDAR

Was sind wichtige Komponenten eines Hochleistungs-LiDAR-Systems (Light Detection and...

Infineon und adidas

Technologie + Syle = Lighting Shoe

Gemeinsam mit der adidas hat Infineon jetzt den Lighting Shoe entwickelt: Über Sensoren...

200-mm-Wafer

Kapazitäten steigen auf Rekordwert

Die Halbleiterhersteller werden die Kapazitäten ihrer 200-mm-Fabs von 2023 bis 2026 um...

Mit CoolSiC zum modernen Elektroantrieb

Synergetische Kombination von drei Spitzentechnologien

Um die Anforderungen moderner Elektrofahrzeuge zu erfüllen, ist es wichtig, Synergien...

onsemi

Was Sie über den Einsatz von IGBTs wissen müssen

Heute dreht sich ein Großteil der Berichterstattung um Bauelemente, die auf...

7. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Hohe Dynamik bei SiC und GaN

Am 22. und 23. November findet im Novotel Messe München das diesjährige Anwenderforum...