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Leistungshalbleiter-ICs

Video: Richtige Treiber für GaN-Nutzung

GaN ja, aber richtig!

Galliumnitrid (GaN) hatte im Vergleich zu Siliciumcarbid (SiC) lange mit dem Image zu kämpfen, unzuverlässig zu sein. Ein Teil dieses schlechten Images ist auf den falschen Umgang mit den Komponenten zurückzuführen.

Angriff auf SiC- und GaN-Domäne

Infineon kündigt 400-V-Siliziumkarbid-MOSFET an

Es wäre ein Paukenschlag: Infineon Technologies wird einen diskreten 400-V-SiC-MOSFET...

ICs für nachhaltiges Systemdesign

Energiesparend, zuverlässig, hohe Leistungsdichte und sicher

Nachhaltigkeit ist entscheidend. Dazu tragen erneuerbare Energien und deren effiziente...

Infineon/HD KSOE

Elektrifizierung von Schiffen

Infineon Technologies und HD Korea Shipbuilding & Offshore Engineering (HD KSOE) haben...

Die Klage sei unbegründet

Stellungnahme zur Klage von Infineon gegen Innoscience

Infineon Technologies hatte in den USA Klage gegen Innoscience (Zhuhai) Technology...

Produkte des Jahres 2024

Impressionen von der Preisverleihung

Die Siegerehrung der Elektronik-Leserwahl »Produkte des Jahres« fand im Rahmen einer...

GaN Technology

Infineon sues Innoscience for Patent Infringement

Infineon Technologies filed a lawsuit, through its subsidiary Infineon Technologies...

GaN-Technologie

Infineon verklagt Innoscience wegen Patentverletzung

Infineon Technologies hat über ihre Tochtergesellschaft Infineon Technologies Austria...

Infineon: CoolSiC MOSFETs 2000 V

SiC-Komponente mit einer Durchbruchspannung von 2000 V

Infineon Technologies hat die neuen CoolSiC MOSFETS 2000 V im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse...

40. Geburtstag des Forschungszentrums

Interview mit imec-CEO Luc Van den hove: »Vielfalt als Vorteil«

Das imec feiert Geburtstag. Luc Van den hove, President und CEO vom imec, ist...