Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

Fairchild Semiconductor

Diskrete und Bare-Die-IGBTs mit 650 V Durchbruchspannung für HEVs

Fairchild erweiterte sein Portfolio mit diskreten und Bare-Die IGBTs und Dioden, die die Field-Stop Trench IGBT-Technologie der dritten Generation und eine schnelle Soft-Recovery-Diode nutzen. Die Komponenten eignen sich ideal für Traktionsumrichter…

Siliziumkarbid

Infineon präsentiert 1200-V-SiC-MOSFET

Nun lässt Infineon die Katze aus dem Sack. Anlässlich der PCIM stellt das Unternehmen…

Infineon

600V TRENCHSTOP Performance IGBTs mit neuem Effizienzniveau

Die neuen 600V Performance-IGBTs von Infineon reduzieren bei Schaltfrequenzen um 8 kHz die…

PCIM Europe 2016

Höhere Leistungsdichten, niedrigere Einschaltwiderstände

Auf der PCIM Europe 2016 gibt es wieder zahlreiche Neuerungen zu sehen. Eine Auswahl…

Erster Mikowellenherd ohne Magnetron

Der Anfang vom Ende der Magnetrone?

Mikrowellenherde sind elementarer Bestandteil heutiger Küchen. In ihrem Innern erzeugten…

Recom

DC/DC-Wandler für SiC-MOSFET-Treiber

Recom hat mit der RxxP22005D und der RKZ-xx2005D zwei neue DC/DC-Wandlerfamilien…

ISSCC 2016 in San Francisco

Die Glanzlichter unter den Chips

Neben den Keynotes, die Trends in der Halbleitertechnik und ihren Anwendungen beleuchten,…

Interview mit Renesas' CTO Hideto Hidaka

»MONOS-Flash lässt sich ganz einfach auf FinFET adaptieren«

Seit kurzem hat auch Renesas Electronics einen CTO: Speicher-Guru Hideto Hidaka. Er…

Mikroelektronik-Trendanalyse bis 2020

China kratzt an der Spitze, Europa gewinnt durch Konsolidierung

Einmal im Jahr publiziert der ZVEI-Fachverband »Electronic Components and Systems« seine…

Gedruckte Elektronik

Druckpräzision entscheidend gesteigert

Gedruckte Transistoren aus organisch-chemischen Halbleitern haben noch unzureichende…