Startseite > Automotive > Elektromobilität > Diskrete und Bare-Die-IGBTs mit 650 V Durchbruchspannung für HEVs

Fairchild Semiconductor

Diskrete und Bare-Die-IGBTs mit 650 V Durchbruchspannung für HEVs

17. Mai 2016, 16:56 Uhr | Stefanie Eckardt

Die diskreten IGBTs FGY160T65SPD_F085 und FGY120T65SPD_F085 von Fairchild weisen eine Durchbruchspannung von 650 V auf.

Fairchild erweiterte sein Portfolio mit diskreten und Bare-Die IGBTs und Dioden, die die Field-Stop Trench IGBT-Technologie der dritten Generation und eine schnelle Soft-Recovery-Diode nutzen. Die Komponenten eignen sich ideal für Traktionsumrichter in Hybrid-, Pug-in- und elektrischen Fahrzeugen.

▶ Diesen Artikel anhören

Fairchilds neue diskrete IGBTs FGY160T65SPD_F085 und FGY120T65SPD_F085 sind für Traktionswandler und andere HEV/PHEV/EV Powertrain-Komponenten geeignet, die eine hohe Leistungsdichte und hohe Zuverlässigkeit erfordern. Die neuen Bausteine sind robuster als Vorgängerversionen; die Erhöhung ihrer Robustheit ergibt sich durch das zusätzliche Screening im Final-Test, das die spezifischen Forderungen von Traktionswandler-Applikationen berücksichtigt und alle Komponenten zu 100 Prozent erfasst. Zusammen mit der Durchbruchspannung von 650 V bietet dieser zusätzliche Fertigungsschritt einen weiteren Schutz gegen elektrische Überlastung.

Darüber hinaus kündigte der Hersteller die Verfügbarkeit seiner PCGA200T65NF8, PCRKA20065F8, PCGA300T65DF8 und PCRKA30065F8 Bare-Die IGBTs und Dioden für Automobilhersteller und Zulieferer an, die ihre eigenen Leistungsmodule für Hochleistungs-Traktionswandler und andere Getriebekomponenten entwickeln. Die Bare-Die IGBTs sind auch mit monolithisch integrierten Strom- und Temperatur-Sensing-Funktionen verfügbar, um zusätzliche Schutzebenen zu schaffen.

Die Leistungskomponenten können kundenspezifiziert werden, um Spezialanforderungen zu erfüllen. Diese Optionen umfassen die Größe und Platzierung der Gate-Pads zur Anpassung an unterschiedliche Alu-Drähte und Die-Formate, sowie die Wahl der Durchbruchspannung und anderer elektrischer Parameter. Eine Version mit lötbarem metallischer Oberfläche ist ebenfall lieferbar. Sie ist für fortschrittliche Verbindungstechnologien ohne Drahtbonden, wie Sintern, vorgesehen.