Power Management

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Benning CMS Technology

Neues Ladeverfahren verlängert Lebensdauer von Batterien

Die Zahl der Vollzyklen ist einer der Schlüsselparameter bei Batterien. Ein neues…

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Power Integrations, InnoSwitch3-AQ, Silicon Carbide
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Power Integrations

InnoSwitch3 nun auch mit Siliziumkarbid verfügbar

Nachdem Power Integrations seine InnoSwitch3-Serie vor zwei Jahren mit…

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Future Electronics
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Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter

SiC und GaN richtig ansteuern

Die Leitlinien für die Gate-Ansteuerung von Silizium-MOSFETs oder -IGBTs lassen sich nicht…

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Navitas, GaNFast, Gallium Nitride
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Navitas Semiconductor

GaNFast-ICs nun auch für bis zu 20 kW

Muster ihrer GaNFast-ICs für Leistungen von 2 kW bis 20 kW stellt Navitas nun zur…

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Infineon Technologies, EiceDRIVER, CoolGaN, 1EDN71x6G
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Gate-Treiber von Infineon

EiceDRIVER speziell für GaN-HEMTs mit Schottky-Gate

Um die Performance ihrer CoolGaN-Leistungstransistoren in Systemlösungen zu verbessern,…

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Die Module MAXM38643 und MAXM17225 von Analog Devices
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Batterielaufzeit verlängern

Geringster Ruhestrom, höchster Wirkungsgrad

Laut Unternehmensangabe weisen die Module MAXM38643 und MAXM17225 von Analog Devices im…

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Navitas Semiconductor, GaNFast, GaNSense, Gallium Nitride, GalliumNitride
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Navitas Semiconductor

Neue Generation von GaN-Power-ICs mit GaNSense-Technologie

Marktführer Navitas hat seine dritte Generation an GaNFast-Power-ICs vorgestellt. Neu ist…

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Rugged Computing: Robuste VPX-Netzteile
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Advertorial

Rugged Computing: Robuste VPX-Netzteile

Speziell für Märkte mit hohen Leistungsanforderungen entwickelt und vertreibt Rugged…

Infineon, EZ-PD BCR, Charger
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Infineon

Hochintegrierte Lösung für vereinheitlichte USB-Typ-C-Ladegeräte

Kürzlich hat die Europäische Kommission in der überarbeiteten Funkgeräterichtlinie…

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Marktanalyse von TrendForce

Navitas stößt Power Integrations vom GaN-Thron

GaN-Leistungsbausteine sind nach Einschätzung der Marktforscher von TrendForce die am…

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