Power Management

Benning CMS Technology

Neues Ladeverfahren verlängert Lebensdauer von Batterien

Die Zahl der Vollzyklen ist einer der Schlüsselparameter bei Batterien. Ein neues…

Power Integrations

InnoSwitch3 nun auch mit Siliziumkarbid verfügbar

Nachdem Power Integrations seine InnoSwitch3-Serie vor zwei Jahren mit…

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter

SiC und GaN richtig ansteuern

Die Leitlinien für die Gate-Ansteuerung von Silizium-MOSFETs oder -IGBTs lassen sich nicht…

Navitas Semiconductor

GaNFast-ICs nun auch für bis zu 20 kW

Muster ihrer GaNFast-ICs für Leistungen von 2 kW bis 20 kW stellt Navitas nun zur…

Gate-Treiber von Infineon

EiceDRIVER speziell für GaN-HEMTs mit Schottky-Gate

Um die Performance ihrer CoolGaN-Leistungstransistoren in Systemlösungen zu verbessern,…

Batterielaufzeit verlängern

Geringster Ruhestrom, höchster Wirkungsgrad

Laut Unternehmensangabe weisen die Module MAXM38643 und MAXM17225 von Analog Devices im…

Navitas Semiconductor

Neue Generation von GaN-Power-ICs mit GaNSense-Technologie

Marktführer Navitas hat seine dritte Generation an GaNFast-Power-ICs vorgestellt. Neu ist…

Advertorial

Rugged Computing: Robuste VPX-Netzteile

Speziell für Märkte mit hohen Leistungsanforderungen entwickelt und vertreibt Rugged…

Infineon

Hochintegrierte Lösung für vereinheitlichte USB-Typ-C-Ladegeräte

Kürzlich hat die Europäische Kommission in der überarbeiteten Funkgeräterichtlinie…

Marktanalyse von TrendForce

Navitas stößt Power Integrations vom GaN-Thron

GaN-Leistungsbausteine sind nach Einschätzung der Marktforscher von TrendForce die am…