Power Management

Neue MOSFET-Technologie

Schnelles, homogenes Ein- und Ausschalten

Leistungs-MOSFETs der jüngsten OptiMOS-Technologie von Infineon bieten Verbesserungen bei allen wichtigen Parametern. Ihr Design verbindet ein dreidimensionales Ladungskompensationsprinzip mit einem Gate-Gitter und realisiert damit eine sehr gute Homogenität des Schaltverhaltens über dem Chip.

Toshiba Electronics Europe

LDOs für Ultra-Miniatur-Anwendungen

Toshiba Electronics Europe hat eine neue Serie von Low-Dropout (LDO)-Spannungsreglern...

Kreislaufwirtschaft

Digitaler EU-Produktpass für Batterien ab 2027

Ab Februar 2027 benötigen alle neu in der EU auf den Markt gebrachten...

Neue Ansätze bei der Stromversorgung

KI-Chips: Stromversorgungkonzept von Analog Devices

Künstliche Intelligenz funktioniert nur deshalb, weil mittlerweile genügend...

Online-Simulationstool

Power Module Design-In leicht gemacht

REDEXPERT, die Online-Plattform für die einfache Auswahl, Simulation und Design-In von...

GaN-Treiber

Robuste und zuverlässige Ansteuerung von GaN-FETs

Analog Devices stellt einen für 100 V ausgelegten Halbbrücken-GaN-Treiber vor, der die...

FPGA-Eval-Board »Lattice CertusPro-NX«

Energiezufuhr auf Maß getrimmt

Moderne FPGAs wie die CertusPro-NX-Bausteine von Lattice Semiconductor eignen sich für...

Isolierten Gate-Treiber

Schutz vor hohen Temperaturen integriert

Im neuen isolierten Gate-Treiber »AHV85111« hat Allegro kritische Sicherheitsfunktionen...

Halbleiterrelais

Isolationsüberwachung in HV-Anwendungen

In Elektrofahrzeugen, Photovoltaikanlagen und Energiespeichersystemen ist es durch den...

GaN-FETs für Schaltnetzteile

Durchstarten dank großer Bandlücke

Von Elektrofahrzeugen bis hin zu Industrieinfrastrukturen: Eine höhere Effizienz und...