Design-in-Unterstützung für SiC-MOSFETs
Entwicklungskit für Totem-Pole-PFC-Anwendungen
Rohms SiC-MOSFETs der 4. Generation bieten bis zu 50 Prozent geringere Schaltverluste und einen um 40 Prozent reduzierten Durchlasswiderstand, ohne die Kurzschlussfestigkeit zu beeinträchtigen. Ein Evaluierungskit demonstriert die hohe…