Alliance Memory
Stromsparender 8-MBit-CMOS-SRAM-Baustein
Alliance Memory erweitert sein Portfolio an stromsparenden SRAMs um den AS6C8016-55TIN mit 8 MBit (512 K x 16 Bit). Im Betrieb benötigt der CMOS-Baustein nur 30 mA Strom, im Stand-by-Modus sind es gar nur 1,5 µA.
Der im 48-Pin-TSOP-I-Gehäuse erhältliche AS6C8016-55TIN von Alliance Memory arbeitet an Spannungen zwischen 2,7 und 3,6 V und zeichnet sich durch eine schnelle Zugriffszeit von 55 ns aus. Bis zu einer Minimal-Spannung von 1,2 V ist der Datenerhalt gewährleistet. Einsetzen lässt sich der Chip im Temperaturbereich von -40 bis +85 °C. Sämtliche Ein- und Ausgänge sind komplett TTL-kompatibel
Wie alle Memory-Chips von Alliance Memory ist auch der AS6C8016-55TIN dank Pin-Kompatibilität ein Ersatz für vergleichbare SRAM-Speicher von Mitbewerbern. Der neue 8-MBit-SRAM-Baustein gesellt sich einer Familie von SRAM-Komponenten mit Speicherkapazitäten von 64 und 256 KBit sowie 1, 2, 4, 16 und 32 MBit.
Muster des AS6C8016-55TIN sind bereits lieferbar, bei größeren Volumina muss sich der Kunde auf eine Lieferzeit von 6 bis 8 Wochen einstellen. Beim Ordern von 1000er Einheiten beginnen die Preise ab 2,95 Dollar.
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