Halbleiter

Littelfuse und Monolith

1.200-V-SiC-MOSFETs mit geringem Durchlasswiderstand

Littelfuse und Monolith Semiconductor stellen zwei neue 1.200-V-N-Kanal-SiC-MOSFETs vor, die sich durch einen besonders niedrigen Durchlasswiderstand auszeichnen. Die für Umrichter-Systeme optimierten Leistungshalbleiterbausteine sind im…

Analog Devices und Microsemi

Gate-Treiber-Board für SiC-Leistungsmodule

In Zusammenarbeit mit Microsemi stellt Analog Devices ein isoliertes…

Kommentar

Management-Arroganz hätte Qualcomm (fast) das Genick gebrochen

An allen Fronten kämpft Qualcomm gegen die feindliche Übernahme durch Broadcom. Auch wenn…

Qualcomm-Übernahme

Broadcom säuselt lieblich - und teilt aus

Broadcom versichert, dass Qualcomm nach einer Übernahme weiter in die Entwicklung von 5G…

HF-Leistungshalbleiter

Cree kauft HF-Leistungshalbleitersparte von Infineon

Vor rund einem Jahr scheiterte die von Infineon geplante Übernahme von Wolfspeed, einer…

China als Lichtblick?

DRAM-Preise weiterhin schwindelerregend

Die DRAM-Hersteller wandeln auf einem schmalen Grat: von hohen DRAM-Preisen profitieren,…

Qualcomm wehrt sich weiter

Kampf gegen Broadcom an mehreren Fronten

Qualcomm verhandelt eifrig mit Kunden, um zu einer Vereinbarung im Streit um…

EU-Funkanlagen-Richtlinie

Mikrocontroller als Piratensender

Mit der Funkanlagen-Richtlinie will die EU einen Missbrauch von Transceivern durch…

Hochfrequenz-Leistungskomponenten

Cree kauft Geschäftsbereich von Infineon

Cree übernimmt für circa 345 Millionen Euro den größten Teil des Geschäfts für…

Blattschuß gegen Broadcom

Qualcomms Aktionärsversammlung wird verschoben

Mit einer überraschenden Strategie hat Qualcomms Vorstand die drohende feindliche…