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Keine Entspannung der Lieferkette im Leistungshalbleiterbereich in Sicht

Rennen zwischen SiC-MOSFET und SiC-JFET weiter offen


Fortsetzung des Artikels von Teil 1

Neue Mitspieler in der Szene

Eine Zurückhaltung, die vor allem damit zu tun haben dürfte, dass sich das Preisniveau für Leistungshalbleiter seit der Markterholung des letzten Jahres deutlich stabilisiert hat. Eine Entwicklung, welche die Leistungshalbleiterhersteller sicherlich nicht von sich aus zu einem schnellen Ende führen werden. Erschwerend kommt zudem hinzu, dass Fertigungsequipment derzeit nicht leicht zu bekommen ist, die Lieferzeiten, so die Diskussionsteilnehmer, liegen derzeit wohl zwischen 6 und 9 Monaten.

Auch wenn der Anteil von Siliziumkarbid-Lösungen im Leistungshalbleiterbereich derzeit nach Einschätzung der Diskussionsteilnehmer wohl nur bei 1 bis 2 Prozent liegt, so dürften Produkte wie der kürzlich von Cree vorgestellte, erste kommerziell erhältliche SiC-MOSFET, sowie der von SemiSouth bereits erhältliche und von Infineon Technologies angekündigte SiC-JFET dafür sorgen, dass der Siliziumkarbid-Anteil am Leistungshalbleiter-Markt in den nächsten 5 Jahren wohl auf 5 Prozent oder mehr klettern könnte. Ob sich dabei bei den Anwender eher die SiC-MOSFETs oder die -JFETs durchsetzen werden, dürfte wohl vor allem von den jeweiligen Applikationen abhängen. Das Problem der Ansteuerung wollen SemiSouth und Infineon mit einem ASIC lösen. Für den SiC-MOSFET-Weg hat man sich dagegen bei STMicroelectronics und Rohm Semiconductor entschieden. Wann diese Hersteller mit ihren Produkten auf den Markt kommen werden, ist aber noch offen.

Auch wenn inzwischen in Europa eine ganze Reihe von Forschungs- und Kooperationsabkommen angelaufen sind, die alle zum Ziel haben, den Vorsprung nicht europäischer Halbleiterhersteller im Bereich Galiumnitrid aufzuholen, so dürfte sich nach Einschätzung der Diskussionsteilnehmer, der Marktanteil dieser Technologie, der sich derzeit wohl nur im Promilebereich messen lässt, 2015 möglicherweise auf dem heutigen Niveau von SiC bewegen. Klar ist, zahlreiche Hersteller beschäftigen sich derzeit mit dem Thema. So hat unter anderem Infineon bereits im letzten Jahr angekündigt, sich 2011 konkret zu seinen Plänen auf diesem Gebiet zu äußern. Klar ist inzwischen auch, dass sich GaN-Schalter wohl nicht nur im Consumer- und Computer-Bereich einsetzen lassen. Bereits heute gibt es auch Lösungen, die mit höheren Sperrspannungen aufwarten. GaN, so viel ist klar, wird auch seinen Weg in Industrie- und vielleicht auch Automotive-Applikationen finden. Der Einstieg, den GaN-Pionier International Rectifier über die Niederspannungs-Schalter gewählt hat, war wohl überlegt. Wer die nicht einfache Prozesstechnik in diesem Bereich im Griff hat, kann seinen Lernerfolg sicherlich einfacher in den Hochvolt-Bereich übertragen, als ein Wettbewerber, der sich auf dieses Segment fokussiert hat und versuchen muss, dafür nun von Grund auf neue Prozesse für GaN zu entwickeln.

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