Multimodal-Transistor für die KI von morgen

Bild 3: Lineare Eingang-Ausgang-Abhängigkeit und ihre Anwendungen.

a) Gemessene Ausgangs- und b) Übertragungskennlinien eines Mikrosilizium-MMTs, die eine konstante Transkonduktanz gm zeigen und ein lineares Verhalten in der Sättigung liefern. c) Simulierte Übertragungskennlinien. d) Simulierte Elektronenstromdichte und e) Potenzialdiagramme, die den Mechanismus für konstante Transkonduktanz gm bestätigen. f) Sättigungsspannung und Transkonduktanz gm hängen beide von der Elektrostatik von Halbleiter und Isolator ab (simuliert). g) Schematische Darstellung der Verstärkerverzerrung. h) Simulierte Ausgangs- und Verstärkungskennlinien des MMT-Verstärkers mit Werten der Gesamtverzerrung (THD) im Einsatz. i) Spektralanalyse des simulierten Verstärkerausgangs für eine reine Sinus-Eingangsspannung. j) Konzeptionelle Anwendung des MMT als Treiber für emissive Pixel, der seine lineare Reaktion für eine einfache lokale Kalibrierung über ein Rückkopplungsnetzwerk ausnutzt. k) Simulierte Wellenformen für einen hochpräzisen 3-Bit-Multilevel-Logik-DAC, der die konstante Transkonduktanz gm ausnutzt. l) Entwurfsschema eines MMT-basierten Mehrschicht-Perceptrons als höchst effektive potenzielle MMT-Anwendung. m) In einem Floating-Gate-Design kann die lineare Übertragungskennlinie des MMT durch Programmierung des floatenden Gates verschoben werden, was zu einer proportionalen Skalierung des Stroms bei einer gegebenen Spannung führt.