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Freescale Semiconductor

ARM-basierte Controller sind die Gewinner

11. Februar 2015, 13:51 Uhr | Iris Stroh

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Fortsetzung des Artikels von Teil 3

Nach 28 nm wird es richtig schwierig

»Einfach« ist relativ . . .
Aus meiner Sicht steht jetzt mit 28-nm-FDSOI eine Alternative zur Verfügung. Statt auf HKMG zu setzen und dann zwangsläufig auf FinFETs gehen zu müssen, kann man jetzt 28-nm-FD-SOI wählen. Die Lizenz, die STMicroelectronics an Samsung vergeben hat, eröffnet ganz neue Möglichkeiten. Ich bin mir sicher, dass diese Technik in diesem Jahr noch an andere Foundries lizenziert wird.

Seit Jahren wird über FD-SOI gesprochen. Der einzige, der bislang voll auf FD-SOI gesetzt hat, war ST. Aber trotz vieler Anstrengungen seitens des Unternehmens ist bislang der große Durchbruch ausgeblieben.
Wir selbst nutzen beispielsweise in unserer Digital-Networking-Division sowohl für 90 nm als auch für 45 nm Partial-Depleted SOI. Wenn man noch weiter zurückgeht, dann wurde SOI im militärischen Bereich schon bei 0,25 µm eingesetzt. Aber sowohl SOI als auch PD-SOI hatten ihre Einschränkungen. Den Durchbruch für SOI hat aber nicht ST oder die Lizenz an Samsung gebracht, sondern Soitec selbst, das die meisten Patente bei der SOI-Technik hält.

Ein ganz wichtiger Schritt war beispielsweise, dass Soitec seine Smart-Cut-Technologie an andere Substrathersteller lizenziert hat, darunter auch SEH, der der größte Substrathersteller der Welt ist. Das heißt die Lizenzierungsabkommen sind gut fortgeschritten, dass es trotzdem so lange gedauert hat, liegt daran, dass Soitec zehn Jahre gebraucht hat, um die Herstellung von FD-SOI-Wafern zu perfektionieren.

Wobei ich Ihnen insofern Recht gebe, dass es eine tolle Leistung von ST war, zu einer Zeit auf FD-SOI zu setzen, als noch keiner an die Technologie geglaubt hat. Ohne ST wäre Soitec heute wahrscheinlich längst aus dem Geschäft.

Intel war auch mal an SOI interessiert, hat sich aber schlussendlich dagegen entschieden, und Intel ist in der Fertigungstechnik absolut führend.
Ja, aber Intel hat seine eigenen Prioritäten. Die Entscheidungen, die Intel fällt, müssen nicht zwangsläufig die gleichen sein, die die Foundry-Industrie fällen sollte, wobei klar ist, dass Intel eine gewisse Marktmacht besitzt, denn nachdem sich Intel für FinFETs entschieden hat, war TSMC verpflichtet, ebenfalls auf FinFETs zu setzen.

Aber FD-SOI hat dank des Lizenzabkommens zwischen ST und Samsung jetzt trotzdem die Chance, im Massenmarkt anzukommen. Das haben anfänglich auch viele Kommentatoren so gesehen, nur jetzt machen sie meines Erachtens einen Fehler, denn viele fangen mittlerweile schon wieder an, daran zu zweifeln. Dann heißt es, dass das Lizenzabkommen schon im März unterschrieben wurde und seit dem nichts mehr passiert ist. Aber solche Dinge brauchen ihre Zeit.

FD-SOI ist aus meiner Sicht deshalb so attraktiv, weil es sich um einen planaren Prozess handelt, genau wie der Prozess, den die Industrie schon seit 50 Jahren benutzt. Das gesamte Equipment, viel Erfahrung und Know-how sind vorhanden. Und hinzu kommt noch ein ganz anderer, extrem wichtiger Vorteil: Der Prozess ist skalierbar. Wenn ein Hersteller auf die nächste Prozessgeneration gehen muss, und das ohne riesige Reengineering-Kosten, ist das ein entscheidender Vorteil.

Derzeit spricht Globalfoundries von 22-nm-FD-SOI und ich halte 20-nm-FD-SOI für sehr wahrscheinlich, und das ohne große Zusatzkosten.