Integrations-Roadmap / Expansion bei EPC
»Wir erhöhen den Wettbewerbsdruck für Niederspannungs-FETs«
Mit einer Integrations-Roadmap und einer geplanten Erweiterung der Kapazitäten unternimmt EPC-Mitbegründer und CEO Dr. Alex Lidow die nächsten Schritte, um das Anwendungsspektrum von Galliumnitrid-Produkten (GaN) zu erweitern und den Druck auf konkurrierende Silizium-MOSFETs weiter zu erhöhen.
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
Vom Plan, auf 200 mm-Wafern zu produzieren....
Sie fertigen aktuell auf 150-mm-Wafern. Ihr Plan vor der Corona-Pandemie war es, zeitnah auf 200-mm-Wafer zu migrieren und darauf Ihre GaN-FETs der siebten Generation zu fertigen. Wie weit sind Sie mit diesen Plänen?
Wir sind dabei, eine zweite Fab mit Standort Taiwan zu nutzen. Es war technisch nicht sinnvoll, die Bauelemente der siebten Generation bei Episil Technologies auf 150-mm-Wafern zu fertigen. Die neue Foundry in Taiwan gehört ebenfalls meinem langjährigen Partner Archie Hwang. Wir machen den nächsten Schritt also sozusagen in der Familie. Durch die Produktion auf 200 mm werden wir unsere Produktion mehr als verdoppeln können. Wir werden aber weiterhin Fertigungsmöglichkeiten von Episil Technologies für die Produktion unserer bisherigen Bauelemente nutzen.
Der Bedarf an GaN-FETs steigt. Wie hoch ist der Anteil der Kunden, die Sie direkt bedienen, und wie hoch der Anteil der Distribution?
Etwa 20 Prozent des Geschäfts realisieren wir direkt. Dabei geht es vor allem um Kunden, die GaN-FETs in hohem Volumen einsetzen. Das kann sowohl im Automotive-Bereich, aber auch im Bereich der Rechenzentren sein. Die Distribution bleibt ein wichtiger Teil unserer Strategie auch für das Massengeschäft. Denken Sie an ein Produkt wie den Health Ring, der GaN-FETs enthält und in Millionen-Stückzahlen verkauft wurde. Dank unseres Distributionsnetzwerks können wir weltweit eine breite Unterstützung bieten und die große Vielfalt der GaN-FET-Anwendungen unterstützen.
Ihr Ziel ist der Ersatz von Niederspannungs-MOSFETs, ein Produkt, das Sie in Ihrer Zeit bei International Rectifier Anfang der 1980er-Jahre selbst maßgeblich entwickelt und auf den Markt gebracht haben. Würden Sie den Ersatz durch GaN-FETs generell befürworten?
Wenn Sie mich so fragen, muss ich das natürlich verneinen, auch wenn das letztlich das übergeordnete Ziel ist. Letztlich muss man sich jede Applikation genau ansehen. GaN-FETs einzusetzen, nur weil es hipp und sexy ist, ist nicht sinnvoll. Ich sehe auch wenig Sinn in einem simplen 1-zu-1-Ersatz. Wirklich in ihrem vollen Umfang nutzen lassen sich die systemischen Vorteile von GaN-FETs nur bei einem entsprechenden Designansatz. Auf GaN-FETs als Ersatz zu setzen, nur weil gerade die gewünschten MOSFETs nicht in ausreichendem Maße zur Verfügung stehen, halte ich für den falschen Weg und würde einen solchen Ansatz auch nicht unterstützen.
Heißt das, Sie beliefern keinen, der Ihre GaN-FETs einfach nur als Ersatz für MOSFETs nehmen will?
Genau so ist es, denn sie würden die Systemvorteile nicht ausschöpfen, wenn sie einen MOSFET lediglich durch einen GaN-FET ersetzen würden. Um die Vorteile von GaN in der Anwendung voll ausschöpfen zu können, ist ein entsprechender Systemansatz erforderlich.
Es gibt heute eine Vielzahl von Niederspannungs-MOSFET-Anbietern. Auch diese Technologie entwickelt sich weiter. Könnte es für die GaN-FETs in Zukunft noch einmal eng werden?
Nein, absolut nein! Ich möchte noch einmal betonen, auch wenn sich die klassische Niederspannungs-MOSFET-Technologie noch weiter verbessern lässt – wir sind mit den heutigen GaN-FETs aktuell noch 300 Prozent vom theoretischen Limit dieser Helbleitertechnologie entfernt. Anders ausgedrückt, wir stehen noch am Anfang unserer Optimierungskurve, während die Niederspannungs-MOSFETs nicht mehr viel Optimierungspotenzial haben. Und vergessen Sie nicht: Unsere Chips sind kleiner und bieten eine höhere Performance! Aus diesem Grund werden viele der Hersteller von Niederspannungs-MOSFETs, die derzeit auf diesem Markt aktiv sind, in den nächsten Jahren vom Markt verschwinden, wenn sie nicht zusätzlich in Wide-Bandgap-Technologien investieren. Ich bin fest davon überzeugt, dass Geschwindigkeit und Fokus für eine rasche Durchdringung des Weltmarktes mit GaN-FETs sorgen werden. Und auf einer persönlichen Ebene: Es macht mir einfach Spaß, eine Technologie, die ich in meiner Jugend, zu Beginn meiner Karriere entwickelt habe, durch etwas Neues, noch Besseres zu ersetzen. Wobei ich aber betonen möchte, ich beziehe mich damit auf GaN-FETs unter 650 V Sperrspannung. 650 V und darüber wird SiC vorbehalten bleiben.
Durch den Krieg in der Ukraine hat das Thema erneuerbare Energien speziell in Europa noch einmal deutlich an Gewicht gewonnen. Wird das mittel- und langfristig SiC und GaN einen zusätzlichen Push geben?
Der größte Erfolg beim Energiesparen ist, wenn die Energie gar nicht erst benötigt wird, weil wir die vorhandene Energie so effizient wie möglich gewinnen, transportieren und nutzen konnten. Es erscheint durchaus möglich, dass durch diesen kriegerischen Akt die Anstrengungen zur effizienten Energiegewinnung und -nutzung noch einmal einen entscheidenden Push erhalten.
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