Video 2: Wettstreit zwischen SiC und GaN

Alles über 650 V wird auf absehbare Zeit eine SiC-Domäne bleiben, aber bis 650 V Sperrspannung eröffnen sich offenbar immer mehr Applikationsmöglichkeiten für GaN. GaN hat die Consumer-Elektronik als Startrampe für den Einstieg in die Industrie- und Automobilelektronik genutzt. Und bei Stromversorgungen für KI-Server wird es wohl auf einen Ideenwettbewerb zwischen 400-V-SiC-MOSFETs und GaN-Leistungshalbleitern hinauslaufen.