Interview: Dr. John Palmour, Wolfspeed
»Thema Die Shrink noch lange nicht ausgereizt«
Als Mitbegründer von Wolfspeed, ehemals Cree, hat sich Dr. John Palmour von Anfang an für Siliziumkarbid engagiert und die Entwicklung solcher Dioden und MOSFETs vorangetrieben. Als CTO von Wolfspeed sieht er die technischen Vorteile der planaren SiC-MOSFETs noch lange nicht ausgeschöpft.
Fortsetzung des Artikels von Teil 1
SiC-MOSFETs für den Weltraum?
Wolfspeed konzentriert sich weiterhin auf planare SiC-MOSFETs. In den letzten Jahren war immer wieder die Rede davon, dass Sie auch SiC-Trench-MOSFETs entwickeln würden. Wann werden diese auf den Markt kommen?
Schauen Sie sich den Markt an. Die beiden größten Anbieter auf dem Markt, Wolfspeed und STMicroelectronics, bieten planare SiC-MOSFETs an, weil sie einen besseren On-Widerstand bieten, den wichtigsten Leistungsindikator. Solange wir den Trench-SiC-MOSFETs in Bezug auf den On-Widerstand deutlich voraus sind, sehe ich keinen Grund, das zu ändern. Außerdem werden wir die planaren SiC-MOSFETs weiter verbessern. Dem Kunden sollte es egal sein, ob es sich um einen planaren oder einen Trench-MOSFET handelt, wichtig ist nur, wie hoch der spezifische On-Widerstand ist. Uns ist das auch egal, wir konzentrieren uns einfach darauf, welches Design dem Kunden den besten Nutzen bringt.
In den letzten Jahrzehnten war die Raumfahrt ein Nischenmarkt. Jetzt gibt es eine Reihe von Privatunternehmen, die in den Weltraummarkt einsteigen. Gibt es bereits SiC-MOSFETs, die im Weltraum eingesetzt werden? Werden Sie in Zukunft solche Produkte anbieten?
Die ersten Produkte von uns sind bereits seit sechs oder sieben Jahren im Weltraum im Einsatz. Dabei handelt es sich um spezielle Lösungen, die wir für bestimmte Raumfahrtprojekte entwickelt und realisiert haben. Wir haben aber noch keine Entscheidung darüber getroffen, ob wir weltraumtaugliche Teile als Geschäft betreiben werden.
Bislang ist SiC eine Technologie der westlichen Industrienationen. China investiert seit Jahren massiv in die SiC-Technologie. Wann erwarten Sie, dass chinesische Anbieter mit 650- oder 1200-V-SiC-MOSFETs auf den Markt kommen?
China hat sich in diesem Bereich strategische Ziele gesetzt. Derzeit bieten sie bereits SiC-Dioden und seit Kurzem auch einige erste MOSFETs an. Bislang arbeiten die chinesischen Hersteller hauptsächlich mit 100-mm-Wafern. Mehrere Unternehmen arbeiten am Aufbau vertikal integrierter Anlagen für die Produktion von SiC-MOSFETs.
Bislang bietet nur X-Fab einen Foundry Service für Siliziumkarbid an. Glauben Sie, dass Foundry-Modelle im SiC-Sektor nachhaltig sind?
Ich denke, dass die Foundry-Idee perfekt für den Silizium-CMOS-Bereich geeignet ist, wo wir gut etablierte Fertigungsprozesse haben und Foundry-Kunden ihre Produkte durch das Schaltungsdesign auszeichnen. Auf dem Markt für Leistungsbauelemente ist jedoch der Prozess das Produkt, sodass es schwierig ist, seine Produkte von anderen zu unterscheiden, wenn man eine Foundry einsetzt. Aus diesem Grund gilt für den Markt für Leistungsbauelemente, dass alle großen Unternehmen ihre eigenen Produkte herstellen. Der Einsatz von Foundries im Energiebereich, entweder für Silizium- oder Siliziumkarbid-Energiegeräte, ist recht gering.
Abschließend noch eine Frage zur Entwicklung von Wolfspeed, seit Gregg Lowe als CEO den Geschäftsansatz von Cree/Wolfspeed komplett verändert hat. Wie beurteilen Sie den Wandel, den er vorangetrieben hat?
Fantastisch! Als wir Cree gründeten, waren wir zu sechst. Außer mir ist einer der Mitbegründer heute noch im Unternehmen. Aus meiner Sicht hat Gregg Lowe genau das erreicht, was ich mir immer erhofft hatte. Dass SiC bei Cree aus dem Schatten tritt, dass es mehr Bedeutung und Aufmerksamkeit bekommt. Als Wolfspeed 2017 für 850 Millionen Dollar fast an Infineon Technologies verkauft wurde, wäre das im Nachhinein kein gutes Geschäft für Cree-Aktionäre gewesen. Und schauen Sie sich unsere Marktkapitalisierung heute an! Die Entscheidung von Gregg Lowe war absolut richtig!
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