Duale 10-A- und 15-A-Schottky-Dioden im isolierten TO-220IS Gehäuse von KEC hat First Components im Angebot.
In den für Nennspannungen von 1700 V spezifizierten IGBT-Modulen der »A«-Serie kombiniert…
IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) werden als Halbleiter-Bauelement in der…
Der Trend auf dem Elektronikmarkt nach weiterer Erhöhung der Zuverlässigkeit ist auch für…
Der Schaltungsaufwand für viele Aktor-Ansteuerungen im Kfz-Bereich ist gering gehalten.…
Analog Devices (ADI) stellt mit den Halbbrücken-Gate-Treibern ADuM5230 und ADuM6132 die…
Infineon hat neue OptiMOS-3-Leistungs-MOSFETs herausgebracht, mit denen sich…
Die neuen MOSFETs von NXP im SOT883-Gehäuse brauchen deutlich weniger Platz als ihre…
Altera bietet Unterstützung für den SERDES-Framer-Interface-Level-5-Standard (SFI-5) auf…