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Leistungshalbleiter

OptiMOS-3-MOSFETs jetzt im Kleingehäuse

Auf der PCIM hat Infineon seine OptiMOS-3-MOSFETs für den Niederspannungsbereich in den SMD-Gehäusen SuperSO8 und S3O8 vorgestellt. Ihr Duchlasswiderstand liegt im einstelligen mΩ-Bereich.

Schalttransistoren mit niedriger Sättigungsspannung

Die Schalttransistoren FJD5555 und FJD5553 von Fairchild Semiconductor haben eine…

Schwingspulen-Motortreiber

Das Schwingspulen-Motortreiber-IC »A3904« von Allegro (Vertrieb: SSG) lässt sich über eine…

Reluktanzmotoren steuern

Die SRM-SPM-Leistungsmodule »FCAS20DN60BB« und »FCAS30DN60BB« von Fairchild können…

Treiben in drei Phasen

Die geschützten 600-V-Dreiphasen-Gatetreiber-ICs »IRS2336xD« von International Rectifier…

Schottky-Dioden

Duale 10-A- und 15-A-Schottky-Dioden im isolierten TO-220IS Gehäuse von KEC hat First…

Kurzschlussfeste IGBTs

In den für Nennspannungen von 1700 V spezifizierten IGBT-Modulen der »A«-Serie kombiniert…

Neue Technologien bei Hochleistungs-IGBTs

IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) werden als Halbleiter-Bauelement in der…

Neue Aufbautechnologie bei gelöteten…

Neue Aufbautechnologie bei gelöteten Thyristormodulen #####

Der Trend auf dem Elektronikmarkt nach weiterer Erhöhung der Zuverlässigkeit ist auch für…

Das Temperaturverhalten von Power-FETs bei Rückschlagpulsen

Der Schaltungsaufwand für viele Aktor-Ansteuerungen im Kfz-Bereich ist gering gehalten.…

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