Leistungshalbleiter

Hermetisch verpackte Gleichrichterdioden

Henskes erweitert sein Vertriebsprogramm um die im hermetisch geschlossenen GPR-4AM-Gehäuse verpackten schnellen Gleichrichterdioden CPR5U-020/-040/-060 von Central.

1-A-Leistungs-Fototriac

Resistive oder induktive Lasten mit Strömen bis zu 1 A kann der integrierte…

Schnell schaltende Gate-Treiber

Diodes Incorporated bringt eine Reihe bipolarer Gate-Treiber für Schalt-MOSFETs und IGBTs…

Neue Schaltregler und MOSFET-Auswahlwerkzeug vereinfachen Schaltnetzteil-Controller-Designs

Mit einer neuen Serie synchroner Buck-Schaltregler baut National Semiconductor seine…

Schutz-FETs: Leistungsbegrenzung schützt bei Kurzschluss

Rein auf Strombegrenzung beschränkte Hot-Swap-Controller benötigen großzügig…

Verlustarmer Dual-MOSFET

Mit den neuen Dual-MOSFET-ICs von Renesas lassen sich bei einem Abwärtsregler…

Treiberbausteine mit zwei Ausgangskanälen mit 9 W

Semikron präsentiert mit SKYPER 52 eine neue IGBT-Treibergeneration mit vollständig…

1200-V-Trenchstop2-IGBTs: Weiches Ausschaltverhalten, hohe Pulsstromfestigkeit

Die neue 1200-V-Trenchstop2-Generation wurde für Schaltfrequenzen bis 20 kHz in hart…

Treiberbausteine für Eingangsspannungen bis 600 V

ON Semiconductor erweitert sein Portfolio an Treiberbausteinen für MOSFETs und IGBTs um…

Drei Leistungsmodule mit je sechs IGBT-Einheiten

Auf der »PCIM Europe 2008« stellte Infineon Technologies die ersten IGBT-Module der neuen…