Kurzschlussfeste IGBTs
26. Mai 2008, 17:14 Uhr |
Marcel Consée, Design&Elektronik
In den für Nennspannungen von 1700 V spezifizierten IGBT-Modulen der »A«-Serie kombiniert Mitsubishi (Vertrieb: Glyn) die Vorteile der CSTBT-Chiptechnik mit LPT-Wafern.
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Die neuen Bauteile erreichen dadurch bei Kollektor-Nennstrom und einer Sperrschichttemperatur von +125 °C eine Sättigungsspannung von typischerweise 2,4 V. Es kommt ein Gehäuse mit besonders niedrigen Induktivitäten zum Einsatz, ein AIN-Isolationssubstrat ermöglicht gute Werte für den thermischen Widerstand. Die Halbbrückenmodule sind für Nennströme zwischen 75 A und 400 A spezifiziert.
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